مشخصات فناوری AO6602G
مشخصات فنی Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO6602G ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO6602G
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 6-TSOP | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 50mOhm @ 3.5A, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 1.15W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | SC-74, SOT-457 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 210pF @ 15V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 4.05nC @ 10V | |
| FET ویژگی | Standard | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3.5A (Ta), 2.7A (Ta) | |
| پیکر بندی | N and P-Channel | |
| شماره محصول پایه | AO660 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6602G دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | AO6602G | AO6602 | AO6604 | AO6601 |
| سازنده | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3.5A (Ta), 2.7A (Ta) | 3.5A (Ta), 2.7A (Ta) | 3.4A, 2.5A | 3.4A, 2.3A |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | 30V | 20V | 30V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| قدرت - حداکثر | 1.15W (Ta) | 1.15W (Ta) | 1.1W | 1.15W |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 210pF @ 15V | 210pF @ 15V, 240pF @ 15V | 320pF @ 10V | 285pF @ 15V |
| شماره محصول پایه | AO660 | AO660 | AO660 | AO660 |
| سلسله | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP |
| پیکر بندی | N and P-Channel | N and P-Channel Complementary | N and P-Channel Complementary | N and P-Channel Complementary |
| بسته بندی / مورد | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 4.05nC @ 10V | 5nC @ 10V, 5.2nC @ 10V | 3.8nC @ 4.5V | 12nC @ 10V |
| FET ویژگی | Standard | Standard | Logic Level Gate, 4.5V Drive | Logic Level Gate |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 50mOhm @ 3.5A, 10V | 50mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V | 65mOhm @ 3.4A, 4.5V | 60mOhm @ 3.4A, 10V |
بارگیری داده های AO6602G PDF و مستندات Alpha & Omega Semiconductor Inc. را برای AO6602G - Alpha & Omega Semiconductor Inc. بارگیری کنید.
AO6432 MOSAOSAO6602G MOSAOSAO6428AOAO6554AOSAO6604_102AOSAO6602L-DELTAAO6603LALPHAAO6602Alpha & Omega Semiconductor Inc.COMPLEMENTARYAO6604Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOPAO6601Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOPAO6426AOAO6432AOSAO6602LAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOPAO6601LAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 30V 6TSOPAO6603HAMOSAO6605AOSAO6604LAOSAO6424AAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 6.5A 6TSOP| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.