مشخصات فناوری RFP3055
مشخصات فنی onsemi - RFP3055 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - RFP3055
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 150mOhm @ 12A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 53W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 300 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 23 nC @ 20 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 12A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | RFP30 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi RFP3055 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | RFP3055 | RFP40N10 | RFP3055LE | RFP2N15 |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | Harris Corporation |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 23 nC @ 20 V | 300 nC @ 20 V | 11.3 nC @ 10 V | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 53W (Tc) | 160W (Tc) | 38W (Tc) | 25W (Tc) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 12A (Tc) | 40A (Tc) | 11A (Tc) | 2A (Tc) |
| شماره محصول پایه | RFP30 | RFP40 | RFP30 | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±16V | ±20V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 300 pF @ 25 V | - | 350 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 150mOhm @ 12A, 10V | 40mOhm @ 40A, 10V | 107mOhm @ 8A, 5V | 1.75Ohm @ 2A, 10V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 100 V | 60 V | 150 V |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| سلسله | - | - | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 5V | 10V |
بارگیری داده های RFP3055 PDF و مستندات onsemi را برای RFP3055 - onsemi بارگیری کنید.
RFP40N10onsemiMOSFET N-CH 100V 40A TO220-3RFP3055LEonsemiMOSFET N-CH 60V 11A TO220-3RFP2N15Harris CorporationN-CHANNEL, MOSFETRFP30N05
RFP30N06EFairchild (onsemi)RFP2N08LVBSEMIRFP2N12LVBsemiRFP25N05L F25N05LHARRISRFP25N05LHarris CorporationN-CHANNEL, MOSFETRFP30P06LEVBsemiRFP2N20LFairchild (onsemi)RFP30P06onsemiMOSFET P-CH 60V 30A TO220-3RFP3055LE MOSFairchild (onsemi)RFP30P05onsemiMOSFET P-CH 50V 30A TO220-3RFP25N06Fairchild (onsemi)RFP30N06LEonsemiMOSFET N-CH 60V 30A TO220-3RFP25N05Fairchild (onsemi)RFP25P06INTESIL| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.