مشخصات فناوری RFD8P05
مشخصات فنی onsemi - RFD8P05 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - RFD8P05
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | I-PAK | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 300mOhm @ 8A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 48W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 80 nC @ 20 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 50 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 8A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | RFD8P |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi RFD8P05 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | RFD8P05 | RFD8P05SM9A | RFD3055SM9A | RFD8P06E |
| سازنده | onsemi | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation |
| بسته بندی کردن | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | - | Surface Mount | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | I-PAK | - | TO-252, (D-Pak) | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | - | 10V | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 48W (Tc) | - | 53W (Tc) | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 50 V | - | 60 V | - |
| بسته بندی / مورد | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | - | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 300mOhm @ 8A, 10V | - | 150mOhm @ 12A, 10V | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 80 nC @ 20 V | - | 23 nC @ 20 V | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | - | ±20V | - |
| شماره محصول پایه | RFD8P | - | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 8A (Tc) | - | 12A (Tc) | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| نوع FET | P-Channel | - | N-Channel | - |
| سلسله | - | - | - | * |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA | - |
بارگیری داده های RFD8P05 PDF و مستندات onsemi را برای RFD8P05 - onsemi بارگیری کنید.
RFD8P05SM9A MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)RFD8P05SM MOSHARRISRFD8P05SM9AHarris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFET
RFD8P06-LESMIntel
RFD77101RenesasRFD8P05SM9AS2385HARRISRFD4N06L MOSFairchild (onsemi)RFD4N06LSMFairchild (onsemi)RFD60N10Fairchild (onsemi)RFD3055SM9A136HARRISRFD3055SM9AFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
RFD77402RF DigitalIOT 3D TOF SENSOR MODULE
RFD8P06Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)RFD8P06EHarris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETRFD8P05SMFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 50V 8A TO252AARFD4N06LHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET
RFD8P05SMonsemiMOSFET P-CH 50V 8A TO252AARFD8P03LSM96Harris CorporationRFD8P03LSM96| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.