مشخصات فناوری NTP5863NG
مشخصات فنی onsemi - NTP5863NG ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - NTP5863NG
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 7.8mOhm @ 20A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 150W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3200 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 55 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 97A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | NTP586 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi NTP5863NG دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | NTP5863NG | NTP5860NLG | NTP5411NG | NTP5412NG |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3200 pF @ 25 V | 10760 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 3220 pF @ 25 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 97A (Tc) | 220A (Tc) | 80A (Tc) | 60A (Tc) |
| شماره محصول پایه | NTP586 | NTP586 | NTP541 | NTP541 |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 55 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 85 nC @ 0 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 150W (Tc) | 283W (Tc) | 166W (Tc) | 125W (Tc) |
| سلسله | - | - | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 7.8mOhm @ 20A, 10V | 3mOhm @ 75A, 10V | 10mOhm @ 40A, 10V | 14mOhm @ 30A, 10V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
بارگیری داده های NTP5863NG PDF و مستندات onsemi را برای NTP5863NG - onsemi بارگیری کنید.
NTP5863NAMI Semiconductor/onsemiNTP5860NLGonsemiMOSFET N-CH 60V 220A TO220AB
NTP53321G0JHKZNXP SemiconductorsNTP5864NAMI Semiconductor/onsemiNTP5411NGonsemiMOSFET N-CH 60V 80A TO220ABNTP5412NGonsemiMOSFET N-CH 60V 60A TO220ABNTP6410ANAMI Semiconductor/onsemiNTP60N06onsemiMOSFET N-CH 60V 60A TO220ABNTP5426NGonsemiMOSFET N-CH 60V 120A TO220ABNTP6410ANGonsemiMOSFET N-CH 100V 76A TO220ABNTP60N06GonsemiMOSFET N-CH 60V 60A TO220ABNTP5D0N15MConsemiMOSFET N-CH 150V 15A/139A TO220NTP6411ANAMI Semiconductor/onsemi
NTP5860NLVBsemiNTP60N06LGonsemiMOSFET N-CH 60V 60A TO220ABNTP5860NGonsemiSINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 60NTP5404NRGonsemiMOSFET N-CH 40V 24A/167A TO220ABNTP5864NGonsemiMOSFET N-CH 60V 63A TO220AB| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.