مشخصات فناوری NTP27N06G
مشخصات فنی onsemi - NTP27N06G ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - NTP27N06G
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 46mOhm @ 13.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 88.2W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1015 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 30 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 27A (Ta) | |
| شماره محصول پایه | NTP27N |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi NTP27N06G دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | NTP27N06G | NTP30N06L | NTP2955 | NTP18N06 |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 5V | 10V | 10V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1015 pF @ 25 V | 1150 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V | 450 pF @ 25 V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 27A (Ta) | 30A (Ta) | 2.4A (Ta) | 15A (Tc) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 30 nC @ 10 V | 32 nC @ 5 V | 14 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±15V | ±20V | ±20V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسله | - | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 46mOhm @ 13.5A, 10V | 46mOhm @ 15A, 5V | 196mOhm @ 12A, 10V | 90mOhm @ 7.5A, 10V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| شماره محصول پایه | NTP27N | NTP30N | NTP295 | NTP18N |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 88.2W (Tc) | 88.2W (Tc) | 2.4W (Ta), 62.5W (Tc) | 48.4W (Tc) |
بارگیری داده های NTP27N06G PDF و مستندات onsemi را برای NTP27N06G - onsemi بارگیری کنید.
NTP30N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
NTP227M6.3TRD(40)NTCNTP3100NEOFIDELITYNTP2955onsemiMOSFET P-CH 60V 2.4A TO220ABNTP18N06onsemiMOSFET N-CH 60V 15A TO220ABNTP2955GonsemiMOSFET P-CH 60V 2.4A TO220ABNTP30N06LGonsemiMOSFET N-CH 60V 30A TO220ABNTP125N02RGonsemiMOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB
NTP190N65S3HFonsemiMOSFET N-CH 650V 20A TO220-3NTP18N06LGonsemiMOSFET N-CH 60V 15A TO220ABNTP13N10GonsemiMOSFET N-CH 100V 13A TO220ABNTP125N02RonsemiMOSFET PWR N-CH 125A 24V TO220ABNTP18N06GonsemiMOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
NTP3103-E2LAPIS TechnologyNTP30N20GonsemiMOSFET N-CH 200V 30A TO220ABNTP3000NEOFIDELITYNTP18N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
NTP3055L104GAMI Semiconductor/onsemi| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.