مشخصات فناوری NTLGD3502NT1G
مشخصات فنی onsemi - NTLGD3502NT1G ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - NTLGD3502NT1G
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 6-DFN (3x3) | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 60mOhm @ 4.3A, 4.5V | |
| قدرت - حداکثر | 1.74W | |
| بسته بندی / مورد | 6-VDFN Exposed Pad | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 480pF @ 10V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 4nC @ 4.5V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4.3A, 3.6A | |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | NTLGD35 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi NTLGD3502NT1G دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | NTLGD3502NT1G | NTLJD3115PT1G | NTLJD3115PTAG | NTLGD3502NT2G |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| کننده بسته بندی دستگاه | 6-DFN (3x3) | 6-WDFN (2x2) | 6-WDFN (2x2) | 6-DFN (3x3) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی / مورد | 6-VDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 6-VDFN Exposed Pad |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | 20V | 20V | 20V |
| سلسله | - | - | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 4nC @ 4.5V | 6.2nC @ 4.5V | 6.2nC @ 4.5V | 4nC @ 4.5V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 60mOhm @ 4.3A, 4.5V | 100mOhm @ 2A, 4.5V | 100mOhm @ 2A, 4.5V | 60mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| شماره محصول پایه | NTLGD35 | NTLJD3115 | NTLJD31 | NTLGD3502 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4.3A, 3.6A | 2.3A | 2.3A | 4.3A, 3.6A |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| قدرت - حداکثر | 1.74W | 710mW | 710mW | 1.74W |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 480pF @ 10V | 531pF @ 10V | 531pF @ 10V | 480pF @ 10V |
بارگیری داده های NTLGD3502NT1G PDF و مستندات onsemi را برای NTLGD3502NT1G - onsemi بارگیری کنید.
NTLGF3402PT2GonsemiMOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
NTLG26115A/ANuvoton Technology CorporationNTLJD3115PT1GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
NTLD7900ZR2AMI Semiconductor/onsemiNTLJD3115PTAGonsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFNNTLJF3117PT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFNNTLJD3119CT1GAMI Semiconductor/onsemiNTLGD3502NT2GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFNNTLJD3115PTAMI Semiconductor/onsemiNTLJF4156NTAMI Semiconductor/onsemiNTLJD2105LTBGonsemiMOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFNNTLJF3117PRT1GAMI Semiconductor/onsemiNTLJD4116NT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTLJD3115PT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTLJD3119CTAGonsemiMOSFET N/P-CH 20V 6WDFNNTLJD3119CTBG MOSAMI Semiconductor/onsemiNTLJD4116NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFNNTLJD3119CTBGonsemiMOSFET N/P-CH 20V 6WDFN| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.