مشخصات فناوری NTHS4166NT1G
مشخصات فنی onsemi - NTHS4166NT1G ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - NTHS4166NT1G
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.3V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | ChipFET™ | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 22mOhm @ 4.9A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 800mW (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 8-SMD, Flat Lead | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 900 pF @ 15 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 18 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) | |
| شماره محصول پایه | NTHS4166 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi NTHS4166NT1G دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | NTHS4166NT1G | NTHS2101PT1G | NTHS4111PT1 | NTHS2101PT1 |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 8 V | - | 8 V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.3V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | - | 1.5V @ 250µA |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) | 5.4A (Tj) | - | 5.4A (Tj) |
| نوع FET | N-Channel | P-Channel | - | P-Channel |
| کننده بسته بندی دستگاه | ChipFET™ | ChipFET™ | - | ChipFET™ |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±8V | - | ±8V |
| بسته بندی / مورد | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | - | 8-SMD, Flat Lead |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 18 nC @ 10 V | 30 nC @ 4.5 V | - | 30 nC @ 4.5 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 1.8V, 4.5V | - | 1.8V, 4.5V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 800mW (Ta) | 1.3W (Ta) | - | 1.3W (Ta) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 900 pF @ 15 V | 2400 pF @ 6.4 V | - | 2400 pF @ 6.4 V |
| سلسله | - | - | * | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 22mOhm @ 4.9A, 10V | 25mOhm @ 5.4A, 4.5V | - | 25mOhm @ 5.4A, 4.5V |
| شماره محصول پایه | NTHS4166 | NTHS21 | - | NTHS21 |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
بارگیری داده های NTHS4166NT1G PDF و مستندات onsemi را برای NTHS4166NT1G - onsemi بارگیری کنید.
NTHS2101PT1GonsemiMOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFETNTHS4111PT1onsemiP-CHANNEL MOSFET
NTHS1206N04N3303JElectro-Films (EFI) / VishayNTHS2101PT1onsemiMOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFETNTHS4101PT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFETNTHS5443T1HonsemiPFET CHPFT 20V 4.9A 65MOH
NTHS1206N02N5001JEVishay DaleTHERMISTOR NTC 5KOHM 3477K 1206NTHS5404T1GonsemiMOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFETNTHS4101PONsemiNTHS1206N17N1003JEVishay DaleTHERM NTC 100KOHM 4064K 1206NTHS4501NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFETNTHS5404T1onsemiMOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFETNTHS5443T1onsemiMOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFETNTHS5443T1GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFETNTHS4101PT1AMI Semiconductor/onsemiNTHS5441T1GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
NTHS1206N02N1002KRVishay DaleTHERMISTOR NTC 10KOHM 3477K 1206NTHS5441T1onsemiMOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.