مشخصات فناوری NTHD3100CT1
مشخصات فنی onsemi - NTHD3100CT1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - NTHD3100CT1
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.2V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | ChipFET™ | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V | |
| قدرت - حداکثر | 1.1W | |
| بسته بندی / مورد | 8-SMD, Flat Lead | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 165pF @ 10V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 2.3nC @ 4.5V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.9A, 3.2A | |
| پیکر بندی | N and P-Channel | |
| شماره محصول پایه | NTHD3100 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi NTHD3100CT1 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | NTHD3100CT1 | NTHD2102PT1G | NTHD2102PT1 | NTHD3102CT1G |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| کننده بسته بندی دستگاه | ChipFET™ | ChipFET™ | ChipFET™ | ChipFET™ |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 165pF @ 10V | 715pF @ 6.4V | 715pF @ 6.4V | 510pF @ 10V |
| پیکر بندی | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel |
| بسته بندی / مورد | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.9A, 3.2A | 3.4A | 3.4A | 4A, 3.1A |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 2.3nC @ 4.5V | 16nC @ 2.5V | 16nC @ 2.5V | 7.9nC @ 4.5V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V | 58mOhm @ 3.4A, 4.5V | 58mOhm @ 3.4A, 4.5V | 45mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | 8V | 8V | 20V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.2V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
| شماره محصول پایه | NTHD3100 | NTHD21 | NTHD21 | NTHD3102 |
| سلسله | - | - | - | - |
| قدرت - حداکثر | 1.1W | 1.1W | 1.1W | 1.1W |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
بارگیری داده های NTHD3100CT1 PDF و مستندات onsemi را برای NTHD3100CT1 - onsemi بارگیری کنید.
NTHD3133PFT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
NTH5G39B332K01TEMurata Power Solutions
NTHA3HB-1.5440-E(T)Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)NTHD2102PT1GonsemiMOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
NTHD3101FT1AMI Semiconductor/onsemiNTHD2102PT1onsemiMOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFETNTHD4102PT1AMI Semiconductor/onsemiNTHD3102CT1GonsemiMOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
NTHC08-3HJ103JTRFNIPPONNTHC5513T1onsemiMOSFET N/P-CH 20V CHIPFETNTHD3101FT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFETNTHD3103FT1GAMI Semiconductor/onsemiNTHD3102CT1AMI Semiconductor/onsemiNTHD3100CT1GonsemiMOSFET N/P-CH 20V CHIPFETNTH5G2M41B683J04TEMurata Power SolutionsNTHD310FT1GAMI Semiconductor/onsemiNTHA8HC-60.000N/ANTHC5513T1GonsemiMOSFET N/P-CH 20V CHIPFET| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.