مشخصات فناوری NTGD4161PT1G
مشخصات فنی onsemi - NTGD4161PT1G ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - NTGD4161PT1G
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 6-TSOP | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 160mOhm @ 2.1A, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 600mW | |
| بسته بندی / مورد | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 281pF @ 15V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 7.1nC @ 10V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.5A | |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | NTGD41 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi NTGD4161PT1G دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | NTGD4161PT1G | NTGD3148NT1G | NTGD4167CT1G | NTGD3133PT1G |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.5A | 3A | 2.6A, 1.9A | 1.6A |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 160mOhm @ 2.1A, 10V | 70mOhm @ 3.5A, 4.5V | 90mOhm @ 2.6A, 4.5V | 145mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 281pF @ 15V | 300pF @ 10V | 295pF @ 15V | 400pF @ 10V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی / مورد | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 7.1nC @ 10V | 3.8nC @ 4.5V | 5.5nC @ 4.5V | 5.5nC @ 4.5V |
| شماره محصول پایه | NTGD41 | NTGD3148 | NTGD4167 | NTGD31 |
| سلسله | - | - | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.4V @ 250µA |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | 20V | 30V | 20V |
| قدرت - حداکثر | 600mW | 900mW | 900mW | 560mW |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| کننده بسته بندی دستگاه | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP |
بارگیری داده های NTGD4161PT1G PDF و مستندات onsemi را برای NTGD4161PT1G - onsemi بارگیری کنید.
NTGS3136PT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
NTGS3130NAMI Semiconductor/onsemiNTGD3148NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOPNTGD4169FT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOPNTGD3147FT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOPNTG3443T1GAMI Semiconductor/onsemiNTGD4167CT1GonsemiMOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOPNTGS3433T1GonsemiMOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOPNTGD3133PT1GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOPNTGS3136PONsemiNTGD1100LT1GonsemiIC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOPNTGS3130NT1GonsemiMOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOPNTG3441T1GAMI Semiconductor/onsemiNTGD4167PT1GAMI Semiconductor/onsemiNTGS3136PT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTGD3149CT1GonsemiMOSFET N/P-CH 20V 6-TSOPNTGS3433T1onsemiMOSFET P-CH 12V 3.3A 6-TSOPNTG3443T1AMI Semiconductor/onsemi| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.