مشخصات فناوری NTE4151PT1G
مشخصات فنی onsemi - NTE4151PT1G ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - NTE4151PT1G
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.2V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±6V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | SC-89-3 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 360mOhm @ 350mA, 4.5V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 313mW (Tj) | |
| بسته بندی / مورد | SC-89, SOT-490 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 156 pF @ 5 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 2.1 nC @ 4.5 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 1.8V, 4.5V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 760mA (Tj) | |
| شماره محصول پایه | NTE4151 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi NTE4151PT1G دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | NTE4151PT1G | NTE4153NT1G | NTE5242AK | NTE128 |
| سازنده | onsemi | onsemi | NTE Electronics, Inc | NTE Electronics, Inc |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 313mW (Tj) | 300mW (Tj) | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 760mA (Tj) | 915mA (Ta) | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 2.1 nC @ 4.5 V | 1.82 nC @ 4.5 V | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.2V @ 250µA | 1.1V @ 250µA | - | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | 20 V | - | - |
| بسته بندی / مورد | SC-89, SOT-490 | SC-89, SOT-490 | DO-203AB, DO-5, Stud | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 360mOhm @ 350mA, 4.5V | 230mOhm @ 600mA, 4.5V | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| سلسله | - | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Chassis, Stud Mount | Through Hole |
| نوع FET | P-Channel | N-Channel | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 156 pF @ 5 V | 110 pF @ 16 V | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 1.8V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±6V | ±6V | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | SC-89-3 | SC-89-3 | DO-5 | TO-39 |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bag | Bag |
| شماره محصول پایه | NTE4151 | NTE4153 | - | - |
بارگیری داده های NTE4151PT1G PDF و مستندات onsemi را برای NTE4151PT1G - onsemi بارگیری کنید.
NTE5242AKNTE Electronics, IncDIODE ZENER 4.7V 50W DO5NTE4153NT1GonsemiMOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3NTE128NTE Electronics, IncTRANS NPN 80V 1A TO39NTE1550NTE Electronics, Inc.NTE288NTE Electronics, IncTRANS PNP 300V 0.5A TO92NTE123APNTE Electronics, IncTRANS NPN 40V 0.6A TO92NTE5241AKNTE Electronics, IncDIODE ZENER 4.3V 50W DO5NTE129NTE Electronics, IncTRANS PNP 80V 1A TO39NTE5241ANTE Electronics, IncDIODE ZENER 4.3V 50W DO5NTE2548NTE Electronics, IncTRANS PNP DARL 100V 8A TO220
NTE4151PT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTE129PNTE4001NT1GVBSEMINTE159NTE Electronics, IncTRANS PNP 80V 0.8A TO92NTE5240ANTE Electronics, IncDIODE ZENER 3.9V 50W DO5NTE5243ANTE Electronics, IncDIODE ZENER 5.1V 50W DO5NTE5240AKNTE Electronics, IncDIODE ZENER 3.9V 50W DO5NTE5242ANTE Electronics, IncDIODE ZENER 4.7V 50W DO5| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.