مشخصات فناوری NDS0610
مشخصات فنی onsemi - NDS0610 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - NDS0610
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 1mA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | SOT-23-3 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 10Ohm @ 500mA, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 360mW (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 79 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 2.5 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 120mA (Ta) | |
| شماره محصول پایه | NDS061 |
| صفت | شرح |
|---|---|
| وضعیت RoHs | |
| سطح حساسیت رطوبت (MSL) | 1 (Unlimited) |
| وضعیت رسیدن | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi NDS0610 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | NDS0610 | NDS0605-F169 | NDS0610-G | NDS331N |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| شماره محصول پایه | NDS061 | - | NDS061 | NDS331 |
| کننده بسته بندی دستگاه | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 79 pF @ 25 V | 79 pF @ 25 V | 79 pF @ 25 V | 162 pF @ 10 V |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 60 V | 60 V | 20 V |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±8V |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 2.7V, 4.5V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 10Ohm @ 500mA, 10V | 5Ohm @ 500mA, 10V | 10Ohm @ 500mA, 10V | 160mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| بسته بندی / مورد | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 120mA (Ta) | 180mA (Ta) | 120mA (Ta) | 1.3A (Ta) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 2.5 nC @ 10 V | 2.5 nC @ 10 V | 2.5 nC @ 10 V | 5 nC @ 4.5 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 360mW (Ta) | 360mW (Ta) | 360mW (Ta) | 500mW (Ta) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 1mA | 3V @ 250µA | 3.5V @ 1mA | 1V @ 250µA |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| سلسله | - | - | - | - |
بارگیری داده های NDS0610 PDF و مستندات onsemi را برای NDS0610 - onsemi بارگیری کنید.
NDS0610-NLFairchild (onsemi)
NDS0001E-LFMurata Electronics
NDS332NSNDS0605-F169onsemiMOSFET P-CH 60V SOT-23NDS0610-GonsemiFET -60V 10.0 MOHM SOT23NDS0605 65DFAIRCHALDNDS0605-NLNDS331Fairchild (onsemi)NDS331NonsemiMOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3NDS0610 MOSFairchild (onsemi)NDS0605onsemiMOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23NDS0605_NLFairchild (onsemi)NDS331N-NLFairchild (onsemi)NDS-08-VDIPTRONNDS305NAMI Semiconductor/onsemiNDS0610_NLonsemiMOSFET P-CH 60V 120MA SOT23-3NDS0002B-LFMurata ElectronicsNDS0605 MOSFairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ لطفاً را به سبد خرید اضافه کنید ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.