مشخصات فناوری NDP7061
مشخصات فنی onsemi - NDP7061 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - NDP7061
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 16mOhm @ 35A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 130W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1930 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 100 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 64A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | NDP706 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi NDP7061 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | NDP7061 | NDP7050 | NDP7060 | NDP6060L |
| سازنده | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 100 nC @ 10 V | 115 nC @ 10 V | 115 nC @ 10 V | 60 nC @ 5 V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 50 V | 60 V | 60 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 130W (Tc) | 150W (Tc) | 150W (Tc) | 100W (Tc) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±16V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| شماره محصول پایه | NDP706 | - | - | - |
| دمای عملیاتی | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| سلسله | - | - | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 5V, 10V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 64A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 48A (Tc) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 16mOhm @ 35A, 10V | 13mOhm @ 40A, 10V | 13mOhm @ 40A, 10V | 20mOhm @ 24A, 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1930 pF @ 25 V | 3600 pF @ 25 V | 3600 pF @ 25 V | 2000 pF @ 25 V |
بارگیری داده های NDP7061 PDF و مستندات onsemi را برای NDP7061 - onsemi بارگیری کنید.
NDP7052LFairchild (onsemi)NDP7050Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 50V 75A TO220-3
NDP7051LNSNDP7060Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7NDP6060LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4NDP7060 MOSNSNDP610BELFSCNDP7052NSNDP7050onsemiMOSFET N-CH 50V 75A TO220-3NDP7051NSNDP708AFSCNDP7061Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 64A TO220-3NDP606BFSCNDP705AENSNDP6060L MOSFairchild (onsemi)NDP706BFSCNDP7060onsemiMOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
NDPL180N10BGonsemiMOSFET N-CH 100V 180A TO220-3| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.