مشخصات فناوری NDP6060
مشخصات فنی onsemi - NDP6060 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - NDP6060
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 25mOhm @ 24A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 100W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1800 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 70 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 48A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | NDP606 |
| صفت | شرح |
|---|---|
| وضعیت RoHs | |
| سطح حساسیت رطوبت (MSL) | Not Applicable |
| وضعیت رسیدن | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi NDP6060 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | NDP6060 | NDP603AL | NDP6060L | NDP6060L |
| سازنده | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1800 pF @ 25 V | 1100 pF @ 15 V | 2000 pF @ 25 V | 2000 pF @ 25 V |
| شماره محصول پایه | NDP606 | - | - | NDP6060 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 48A (Tc) | 25A (Tc) | 48A (Tc) | 48A (Tc) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 4.5V, 10V | 5V, 10V | 5V, 10V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 25mOhm @ 24A, 10V | 22mOhm @ 25A, 10V | 20mOhm @ 24A, 10V | 20mOhm @ 24A, 10V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 70 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 60 nC @ 5 V | 60 nC @ 5 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 100W (Tc) | 50W (Tc) | 100W (Tc) | 100W (Tc) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 30 V | 60 V | 60 V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| دمای عملیاتی | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| سلسله | - | - | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±16V | ±16V |
بارگیری داده های NDP6060 PDF و مستندات onsemi را برای NDP6060 - onsemi بارگیری کنید.
NDP603ALFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 25A TO220-3NDP6060L MOSFairchild (onsemi)
NDP605ANSNDP6060LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4NDP6050LNSNDP6060 MOSFairchild (onsemi)NDP606BFSCNDP6050 MOSNSNDP6060LonsemiMOSFET N-CH 60V 48A TO220-3NDP610BELFSCNDP603ALonsemiMOSFET N-CH 30V 25A TO220-3NDP605BLVBSEMINDP6051NSNDP6050NSNDP7050Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 50V 75A TO220-3NDP7050onsemiMOSFET N-CH 50V 75A TO220-3NDP6060BFSCNDP605BNS| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ لطفاً را به سبد خرید اضافه کنید ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.