مشخصات فناوری MTB50P03HDLT4G
مشخصات فنی onsemi - MTB50P03HDLT4G ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - MTB50P03HDLT4G
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±15V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | D²PAK | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 25mOhm @ 25A, 5V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4900 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 100 nC @ 5 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 5V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 50A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | MTB50 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi MTB50P03HDLT4G دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | MTB50P03HDLT4G | MTB50P03HDLT4 | MTB50P03HDLG | MTB50P03HDL |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 50A (Tc) | 50A (Tc) | 50A (Tc) | 50A (Tc) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 5V | - | 5V | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| شماره محصول پایه | MTB50 | MTB50 | MTB50 | MTB50 |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4900 pF @ 25 V | 4900 pF @ 25 V | 4900 pF @ 25 V | 4900 pF @ 25 V |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tube | Tube |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 100 nC @ 5 V | 100 nC @ 5 V | 100 nC @ 5 V | 100 nC @ 5 V |
| VGS (حداکثر) | ±15V | - | ±15V | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) | - | 2.5W (Ta), 125W (Tc) | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 25mOhm @ 25A, 5V | 25mOhm @ 25A, 5V | 25mOhm @ 25A, 5V | 25mOhm @ 25A, 5V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| کننده بسته بندی دستگاه | D²PAK | D²PAK | D²PAK | D²PAK |
| سلسله | - | - | - | - |
بارگیری داده های MTB50P03HDLT4G PDF و مستندات onsemi را برای MTB50P03HDLT4G - onsemi بارگیری کنید.
MTB50A08Q8MTB55N03N3CYSTEKMTB5D0C03J4CYSTECHMTB55N10Q8CYSTECH
MTB50P03HGRF4GAMI Semiconductor/onsemiMTB50P03HGAMI Semiconductor/onsemiMTB52N06VLT4AMI Semiconductor/onsemiMTB50P03HDLT4onsemiMOSFET P-CH 30V 50A D2PAKMTB50N06MOTOROLAMTB50N06ELMOTOROLAMTB50N06VT4MOTMTB50N06VLAMI Semiconductor/onsemiMTB50A08Q8-0-T3-GCYSTEKMTB55N03J3CYSTEKECMTB50P03HDLGonsemiMOSFET P-CH 30V 50A D2PAKMTB55N03KSN3CYSTEKECMTB50P03HDLonsemiMOSFET P-CH 30V 50A D2PAKMTB55N03KN3CYSTEKEC| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.