مشخصات فناوری MMDF2P02ER2G
مشخصات فنی onsemi - MMDF2P02ER2G ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - MMDF2P02ER2G
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 250mOhm @ 2A, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 2W | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 475pF @ 16V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 15nC @ 10V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 25V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.5A | |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | MMDF2 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi MMDF2P02ER2G دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | MMDF2P02ER2G | MMDF2P02HDR2G | MMDF2N02ER2 | MMDF2P02ER2 |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 15nC @ 10V | 20nC @ 10V | 30nC @ 10V | 15nC @ 10V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 25V | 20V | 25V | 25V |
| سلسله | - | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 475pF @ 16V | 588pF @ 16V | 532pF @ 16V | 475pF @ 16V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.5A | 3.3A | 3.6A | 2.5A |
| شماره محصول پایه | MMDF2 | MMDF2 | MMDF2 | MMDF2 |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| قدرت - حداکثر | 2W | 2W | 2W | 2W |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 250mOhm @ 2A, 10V | 160mOhm @ 2A, 10V | 100mOhm @ 2.2A, 10V | 250mOhm @ 2A, 10V |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
بارگیری داده های MMDF2P02ER2G PDF و مستندات onsemi را برای MMDF2P02ER2G - onsemi بارگیری کنید.
MMDF2P02HDR2GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
MMDF2P03HDR2GAMI Semiconductor/onsemiMMDF2N02ER2onsemiMOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOICMMDF2P02ER2onsemiMOSFET PWR P-CH 25V 2.5A 8-SOICMMDF2P03HDR2AMI Semiconductor/onsemiMMDF2N05ZR2GAMI Semiconductor/onsemi
MMDF2N02ERMOTOROLAMMDF2P02HDR2onsemiMOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOICMMDF3301VBSEMIMMDF3304VBSEMIMMDF2N02ER2GonsemiMOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOICMMDF2N05ZR2onsemiSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETMMDF2P01HDR2GAMI Semiconductor/onsemiMMDF2P01HDR2onsemiP-CHANNEL POWER MOSFETMMDF2C03HDR2GonsemiMOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOICMMDF3C03HDR2GAMI Semiconductor/onsemiMMDF3207R2GAMI Semiconductor/onsemiMMDF3200ZR2GAMI Semiconductor/onsemi| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.