مشخصات فناوری HUF75309P3
مشخصات فنی onsemi - HUF75309P3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - HUF75309P3
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | onsemi | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
سلسله | UltraFET™ | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 70mOhm @ 19A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 55W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
بسته بندی کردن | Tube |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 350 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 24 nC @ 20 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 55 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 19A (Tc) | |
شماره محصول پایه | HUF75 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi HUF75309P3 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | HUF75309P3 | HUF75309P3 | HUF75309P3 | HUF75321D3ST |
سازنده | onsemi | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 19A (Tc) | 19A (Tc) | 19A (Tc) | 20A (Tc) |
بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 350 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 680 pF @ 25 V |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Bulk |
FET ویژگی | - | - | - | - |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | - | 10V |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 55W (Tc) | 55W (Tc) | 55W (Tc) | 93W (Tc) |
کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-252, (D-Pak) |
شماره محصول پایه | HUF75 | - | - | - |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
سلسله | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 24 nC @ 20 V | 24 nC @ 20 V | 24 nC @ 20 V | 44 nC @ 20 V |
نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 70mOhm @ 19A, 10V | 70mOhm @ 19A, 10V | 70mOhm @ 19A, 10V | 36mOhm @ 20A, 10V |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 55 V | 55 V | 55 V | 55 V |
بارگیری داده های HUF75309P3 PDF و مستندات onsemi را برای HUF75309P3 - onsemi بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.