مشخصات فناوری H11G1M
مشخصات فنی onsemi - H11G1M ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - H11G1M
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| ولتاژ - خروجی (حداکثر) | 100V | |
| ولتاژ - جداسازی | 4170Vrms | |
| ولتاژ - به جلو آن (Vf) (نوع) | 1.3V | |
| VCE اشباع (حداکثر) | 1V | |
| روشن / خاموش کردن زمان (نوع) | - | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 6-DIP | |
| سلسله | - | |
| ظهور / پاییز زمان (نوع) | - | |
| بسته بندی / مورد | 6-DIP (0.300', 7.62mm) | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| نوع خروجی | Darlington with Base | |
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 100°C | |
| تعداد کانال | 1 | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| نوع ورودی | DC | |
| نسبت انتقال جریان (حداقل) | 1000% @ 10mA | |
| نسبت انتقال جریان (حداکثر) | - | |
| در حال حاضر - خروجی / کانال | - | |
| کنونی - DC به جلو (اگر) (حداکثر) | 60 mA | |
| شماره محصول پایه | H11G1 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi H11G1M دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | H11G1M | H11G1300 | H11G2M | H11F3SR2VM |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| شماره محصول پایه | H11G1 | H11G | H11G2 | - |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| ولتاژ - جداسازی | 4170Vrms | 5300Vrms | 4170Vrms | 7500Vpk |
| سلسله | - | - | - | - |
| ولتاژ - خروجی (حداکثر) | 100V | 100V | 80V | 15V |
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 100°C | -55°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C |
| نسبت انتقال جریان (حداقل) | 1000% @ 10mA | 1000% @ 10mA | 1000% @ 10mA | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | 6-DIP | 6-DIP | 6-DIP | 6-SMD |
| نوع خروجی | Darlington with Base | Darlington with Base | Darlington with Base | MOSFET |
| ظهور / پاییز زمان (نوع) | - | - | - | - |
| نسبت انتقال جریان (حداکثر) | - | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| نوع ورودی | DC | DC | DC | DC |
| روشن / خاموش کردن زمان (نوع) | - | 5µs, 100µs | 5µs, 100µs | 45µs, 45µs (Max) |
| در حال حاضر - خروجی / کانال | - | - | - | - |
| کنونی - DC به جلو (اگر) (حداکثر) | 60 mA | 60 mA | 60 mA | 60 mA |
| VCE اشباع (حداکثر) | 1V | 1V | 1V | - |
| بسته بندی / مورد | 6-DIP (0.300', 7.62mm) | 6-DIP (0.300", 7.62mm) | 6-DIP (0.300', 7.62mm) | 6-SMD, Gull Wing |
| ولتاژ - به جلو آن (Vf) (نوع) | 1.3V | 1.3V | 1.3V | 1.3V |
| تعداد کانال | 1 | 1 | 1 | 1 |
بارگیری داده های H11G1M PDF و مستندات onsemi را برای H11G1M - onsemi بارگیری کنید.
H11G1300onsemiOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIPH11G2MonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIPH11F3SR2VMFairchild SemiconductorFET OUTPUT OPTOCOUPLER, 7500V ISH11G1SonsemiOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
H11G1VMAMI Semiconductor/onsemiH11G1SR2VMFairchild SemiconductorDARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER, 7H11G1SR2VMonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMDH11G2SonsemiOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMDH11F3VMonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIPH11F3SVMFairchild SemiconductorFET OUTPUT OPTOCOUPLER, 7500V ISH11G1SVMAMI Semiconductor/onsemi
H11G1300Fairchild SemiconductorDARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLERH11F3SR2MonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMDH11G1SR2MonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMDH11F3SR2VMonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMDH11F3SVMonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMDH11F3VMFairchild SemiconductorFET OUTPUT OPTOCOUPLER, 7500V ISH11G1SMonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.