مشخصات فناوری FQP70N08
مشخصات فنی onsemi - FQP70N08 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FQP70N08
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±25V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 17mOhm @ 35A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 155W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 2700 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 98 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 80 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 70A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | FQP7 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FQP70N08 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQP70N08 | FQP6N80C | FQP6N90 | FQP6N90C |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| VGS (حداکثر) | ±25V | ±30V | ±30V | ±30V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 70A (Tc) | 5.5A (Tc) | 5.8A (Tc) | 6A (Tc) |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 17mOhm @ 35A, 10V | 2.5Ohm @ 2.75A, 10V | 1.9Ohm @ 2.9A, 10V | 2.3Ohm @ 3A, 10V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 2700 pF @ 25 V | 1310 pF @ 25 V | 1880 pF @ 25 V | 1770 pF @ 25 V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| شماره محصول پایه | FQP7 | FQP6 | FQP6 | FQP6 |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 155W (Tc) | 158W (Tc) | 167W (Tc) | 167W (Tc) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 80 V | 800 V | 900 V | 900 V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 98 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V |
بارگیری داده های FQP70N08 PDF و مستندات onsemi را برای FQP70N08 - onsemi بارگیری کنید.
FQP6N80ConsemiMOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3FQP6N90onsemiMOSFET N-CH 900V 5.8A TO220-3
FQP7D20TMFairchild (onsemi)FQP6N90ConsemiMOSFET N-CH 900V 6A TO220-3FQP6P25Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 250V 6A TO220-3FQP70N10Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5FQP7N20onsemiMOSFET N-CH 200V 6.6A TO220-3FQP6N90C MOSFairchild (onsemi)FQP7N60onsemiMOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3FQP70N10 MOSFairchild (onsemi)FQP70N06Fairchild (onsemi)FQP70N08Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 70A TO220-3FQP70N08 MOSFairchild (onsemi)FQP6N80CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5FQP7N40onsemiMOSFET N-CH 400V 7A TO220-3FQP6P25onsemiMOSFET P-CH 250V 6A TO220-3FQP70N10onsemiMOSFET N-CH 100V 57A TO220-3FQP7N10onsemiMOSFET N-CH 100V 7.3A TO220-3| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.