مشخصات فناوری FQP46N15
مشخصات فنی onsemi - FQP46N15 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FQP46N15
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±25V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 42mOhm @ 22.8A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 210W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3250 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 110 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 150 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 45.6A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | FQP46 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FQP46N15 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQP46N15 | FQP47P06 | FQP4N20L | FQP4N20L |
| سازنده | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 5V, 10V | 5V, 10V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 110 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 5.2 nC @ 5 V | 5.2 nC @ 5 V |
| شماره محصول پایه | FQP46 | FQP47 | - | FQP4 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 45.6A (Tc) | 47A (Tc) | 3.8A (Tc) | 3.8A (Tc) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 150 V | 60 V | 200 V | 200 V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 42mOhm @ 22.8A, 10V | 26mOhm @ 23.5A, 10V | 1.35Ohm @ 1.9A, 10V | 1.35Ohm @ 1.9A, 10V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 210W (Tc) | 160W (Tc) | 45W (Tc) | 45W (Tc) |
| VGS (حداکثر) | ±25V | ±25V | ±20V | ±20V |
| سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3250 pF @ 25 V | 3600 pF @ 25 V | 310 pF @ 25 V | 310 pF @ 25 V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| نوع FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
بارگیری داده های FQP46N15 PDF و مستندات onsemi را برای FQP46N15 - onsemi بارگیری کنید.
FQP47P06onsemiMOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
FQP47N06FSCFQP45N03Fairchild (onsemi)FQP4N20LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQP4N20LonsemiMOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3FQP45N10Fairchild (onsemi)FQP45N03L MOSFairchild (onsemi)FQP44N10 MOSFairchild (onsemi)FQP47P06 MOSFairchild (onsemi)FQP45N15V2onsemiMOSFET N-CH 150V 45A TO220-3FQP44N10F MOSFairchild (onsemi)FQP45N15V2Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FQP4N25onsemiMOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3FQP45N03LFairchild (onsemi)FQP4N20Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3FQP45N03LMFairchild (onsemi)FQP4N20onsemiMOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3FQP4N20L MOSFairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.