مشخصات فناوری FQP44N08
مشخصات فنی onsemi - FQP44N08 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FQP44N08
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±25V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 34mOhm @ 22A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 127W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1430 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 50 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 80 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 44A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | FQP4 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FQP44N08 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQP44N08 | FQP44N08 | FQP3N90 | FQP44N10 |
| سازنده | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 127W (Tc) | 127W (Tc) | 130W (Tc) | 146W (Tc) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| VGS (حداکثر) | ±25V | ±25V | ±30V | ±25V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 50 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | 62 nC @ 10 V |
| شماره محصول پایه | FQP4 | - | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 80 V | 80 V | 900 V | 100 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 44A (Tc) | 44A (Tc) | 3.6A (Tc) | 43.5A (Tc) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 34mOhm @ 22A, 10V | 34mOhm @ 22A, 10V | 4.25Ohm @ 1.8A, 10V | 39mOhm @ 21.75A, 10V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1430 pF @ 25 V | 1430 pF @ 25 V | 910 pF @ 25 V | 1800 pF @ 25 V |
بارگیری داده های FQP44N08 PDF و مستندات onsemi را برای FQP44N08 - onsemi بارگیری کنید.
FQP45N03LFairchild (onsemi)FQP3P20 MOSFairchild (onsemi)FQP45N10Fairchild (onsemi)FQP44N10F MOSFairchild (onsemi)FQP44N08Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 44A TO220-3FQP44N10 MOSFairchild (onsemi)FQP3N90Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3FQP44N10Fairchild SemiconductorPOWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 1FQP3P50onsemiMOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3FQP45N03L MOSFairchild (onsemi)FQP3P20onsemiMOSFET P-CH 200V 2.8A TO220-3FQP3P50 MOSFairchild (onsemi)FQP3P20Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FQP40N10Fairchild (onsemi)FQP3P50Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FQP45N03LMFairchild (onsemi)FQP44N10onsemiMOSFET N-CH 100V 43.5A TO220-3FQP45N03Fairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.