مشخصات فناوری FQP10N20
مشخصات فنی onsemi - FQP10N20 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FQP10N20
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 360mOhm @ 5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 87W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 670 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 18 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 10A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | FQP1 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FQP10N20 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQP10N20 | FQP11N40 | FQP10N20C | FQP10N60C |
| سازنده | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 670 pF @ 25 V | 1400 pF @ 25 V | 510 pF @ 25 V | 2040 pF @ 25 V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 360mOhm @ 5A, 10V | 480mOhm @ 5.7A, 10V | 360mOhm @ 4.75A, 10V | 730mOhm @ 4.75A, 10V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | 400 V | 200 V | 600 V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| شماره محصول پایه | FQP1 | - | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 87W (Tc) | 147W (Tc) | 72W (Tc) | 156W (Tc) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 10A (Tc) | 11.4A (Tc) | 9.5A (Tc) | 9.5A (Tc) |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 18 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | 57 nC @ 10 V |
بارگیری داده های FQP10N20 PDF و مستندات onsemi را برای FQP10N20 - onsemi بارگیری کنید.
FQP10N60Fairchild (onsemi)FQP11N40Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3FQP10N20CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FQP10N20 MOSFairchild (onsemi)FQP10N80Fairchild (onsemi)FQP10N60CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3FQP10N60BFairchild (onsemi)FQP10N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3FQP10N80CFairchild (onsemi)FQP10N20C MOSFairchild (onsemi)FQP11N40CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQP10N50CFFairchild (onsemi)FQP10N20ConsemiMOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3FQP11N40ConsemiMOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3FQP10N65Fairchild (onsemi)FQP11N40onsemiMOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3FQP11N40C MOSFairchild (onsemi)FQP11N50CFFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 11A TO220-3| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.