مشخصات فناوری FQD5N60CTF
مشخصات فنی onsemi - FQD5N60CTF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FQD5N60CTF
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | onsemi | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±30V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | TO-252AA | |
سلسله | QFET® | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2.5Ohm @ 1.4A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.5W (Ta), 49W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 670 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 19 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) | |
شماره محصول پایه | FQD5 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FQD5N60CTF دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | FQD5N60CTF | FQD5N50TF | FQD5N60CTM | FQD5P10TM |
سازنده | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
FET ویژگی | - | - | - | - |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 670 pF @ 25 V | 610 pF @ 25 V | 670 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V |
سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 19 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V | 8.2 nC @ 10 V |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2.5Ohm @ 1.4A, 10V | 1.8Ohm @ 1.75A, 10V | 2.5Ohm @ 1.4A, 10V | 1.05Ohm @ 1.8A, 10V |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) | 3.5A (Tc) | 2.8A (Tc) | 3.6A (Tc) |
شماره محصول پایه | FQD5 | - | - | - |
کننده بسته بندی دستگاه | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | TO-252, (D-Pak) | TO-252, (D-Pak) |
VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 500 V | 600 V | 100 V |
بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bulk |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.5W (Ta), 49W (Tc) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | 2.5W (Ta), 49W (Tc) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
بارگیری داده های FQD5N60CTF PDF و مستندات onsemi را برای FQD5N60CTF - onsemi بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.