مشخصات فناوری FQB9N50CTM
مشخصات فنی onsemi - FQB9N50CTM ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FQB9N50CTM
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | onsemi | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±30V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | D²PAK (TO-263) | |
سلسله | QFET® | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 800mOhm @ 4.5A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 135W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1030 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 35 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 9A (Tc) | |
شماره محصول پایه | FQB9N50 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FQB9N50CTM دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | FQB9N50CTM | FQB9N50TM | FQB9N08LTM | FQB9N25CTM |
سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | 500 V | 80 V | 250 V |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 9A (Tc) | 9A (Tc) | 9.3A (Tc) | 8.8A (Tc) |
شماره محصول پایه | FQB9N50 | FQB9 | FQB9 | FQB9 |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 35 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | 6.1 nC @ 5 V | 35 nC @ 10 V |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 800mOhm @ 4.5A, 10V | 730mOhm @ 4.5A, 10V | 210mOhm @ 4.65A, 10V | 430mOhm @ 4.4A, 10V |
کننده بسته بندی دستگاه | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA |
VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±20V | ±30V |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 5V, 10V | 10V |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1030 pF @ 25 V | 1450 pF @ 25 V | 280 pF @ 25 V | 710 pF @ 25 V |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
FET ویژگی | - | - | - | - |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 135W (Tc) | 3.13W (Ta), 147W (Tc) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) | 3.13W (Ta), 74W (Tc) |
بارگیری داده های FQB9N50CTM PDF و مستندات onsemi را برای FQB9N50CTM - onsemi بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.