مشخصات فناوری FQB11N40CTM
مشخصات فنی onsemi - FQB11N40CTM ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FQB11N40CTM
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | onsemi | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±30V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | D²PAK (TO-263) | |
سلسله | QFET® | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 530mOhm @ 5.25A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 135W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1090 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 35 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 400 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) | |
شماره محصول پایه | FQB11N40 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FQB11N40CTM دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | FQB11N40CTM | FQB11P06TM | FQB10N20TM | FQB10N20LTM |
سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) | 11.4A (Tc) | 10A (Tc) | 10A (Tc) |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 530mOhm @ 5.25A, 10V | 175mOhm @ 5.7A, 10V | 360mOhm @ 5A, 10V | 360mOhm @ 5A, 10V |
شماره محصول پایه | FQB11N40 | FQB11P06 | FQB1 | FQB1 |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1090 pF @ 25 V | 550 pF @ 25 V | 670 pF @ 25 V | 830 pF @ 25 V |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 135W (Tc) | 3.13W (Ta), 53W (Tc) | - | 3.13W (Ta), 87W (Tc) |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 2V @ 250µA |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
FET ویژگی | - | - | - | - |
VGS (حداکثر) | ±30V | ±25V | ±30V | ±20V |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 400 V | 60 V | 200 V | 200 V |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 35 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 17 nC @ 5 V |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
کننده بسته بندی دستگاه | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
نوع FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 5V, 10V |
بارگیری داده های FQB11N40CTM PDF و مستندات onsemi را برای FQB11N40CTM - onsemi بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.