مشخصات فناوری FQA5N90
مشخصات فنی onsemi - FQA5N90 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FQA5N90
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3P | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2.3Ohm @ 2.9A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 185W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1550 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 40 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 900 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 5.8A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | FQA5 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FQA5N90 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQA5N90 | FQA65N20 | FQA65N06 | FQA55N25 |
| سازنده | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 5.8A (Tc) | 65A (Tc) | 72A (Tc) | 55A (Tc) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1550 pF @ 25 V | 7900 pF @ 25 V | 2410 pF @ 25 V | 6250 pF @ 25 V |
| بسته بندی کردن | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3P | TO-3PN | TO-3P | TO-3PN |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±25V | ±30V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2.3Ohm @ 2.9A, 10V | 32mOhm @ 32.5A, 10V | 16mOhm @ 36A, 10V | 40mOhm @ 27.5A, 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 185W (Tc) | 310W (Tc) | 183W (Tc) | 310W (Tc) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 40 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 900 V | 200 V | 60 V | 250 V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| شماره محصول پایه | FQA5 | - | FQA6 | FQA55 |
بارگیری داده های FQA5N90 PDF و مستندات onsemi را برای FQA5N90 - onsemi بارگیری کنید.
FQA4P06FSCFQA62N25C CMH82N25Fairchild (onsemi)FQA65N20Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FQA65N06onsemiMOSFET N-CH 60V 72A TO3PFQA55N25onsemiMOSFET N-CH 250V 55A TO3PNFQA65N20onsemiMOSFET N-CH 200V 65A TO3PNFQA62N25C CMH82N25 MOSFairchild (onsemi)FQA62N25C MOSFairchild (onsemi)FQA48N20onsemiMOSFET N-CH 200V 48A TO3PFQA55N25 CMH82N25Fairchild (onsemi)FQA55N25 CMH82N25 MOSFairchild (onsemi)FQA55N25 MOSFairchild (onsemi)FQA62N25ConsemiMOSFET N-CH 250V 62A TO3PNFQA62N25CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FQA5N90Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 5.8A TO3PFQA55N10onsemiMOSFET N-CH 100V 61A TO3PFQA65N20 CMH82N25Fairchild (onsemi)FQA59N30Fairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.