مشخصات فناوری FQA12P20
مشخصات فنی onsemi - FQA12P20 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FQA12P20
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3P | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 470mOhm @ 6.3A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 150W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1200 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 40 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 12.6A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | FQA1 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FQA12P20 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQA12P20 | FQA13N50C | FQA13N80 | FQA12N60 |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 470mOhm @ 6.3A, 10V | 480mOhm @ 6.75A, 10V | 750mOhm @ 6.3A, 10V | 700mOhm @ 6A, 10V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3P | TO-3P | TO-3PN | TO-3P |
| شماره محصول پایه | FQA1 | FQA1 | FQA1 | FQA1 |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 40 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 88 nC @ 10 V | 54 nC @ 10 V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 12.6A (Tc) | 13.5A (Tc) | 12.6A (Tc) | 12A (Tc) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1200 pF @ 25 V | 2055 pF @ 25 V | 3500 pF @ 25 V | 1900 pF @ 25 V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | 500 V | 800 V | 600 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 150W (Tc) | 218W (Tc) | 300W (Tc) | 240W (Tc) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
بارگیری داده های FQA12P20 PDF و مستندات onsemi را برای FQA12P20 - onsemi بارگیری کنید.
FQA13N50ConsemiMOSFET N-CH 500V 13.5A TO3PFQA13N80onsemiMOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
FQA13N50C_F109Fairchild (onsemi)FQA12N60onsemiMOSFET N-CH 600V 12A TO3PFQA13N50onsemiMOSFET N-CH 500V 13.4A TO3PFQA11N90C_F109Fairchild (onsemi)FQA12N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 12A TO3PFQA13N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PNFQA13N50CFonsemiMOSFET N-CH 500V 15A TO3PNFQA11N90_F109Fairchild (onsemi)FQA13N50CFFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 15A TO3PNFQA11N90ConsemiMOSFET N-CH 900V 11A TO3P
FQA11N90C-F109onsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQA12N60CFairchild (onsemi)FQA11N90FAMI Semiconductor/onsemiFQA13N50CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 13.5A TO3PFQA13N50CF MOSFairchild (onsemi)FQA11N90-F109ONsemi| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.