مشخصات فناوری FDW2520C
مشخصات فنی onsemi - FDW2520C ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FDW2520C
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-TSSOP | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 18mOhm @ 6A, 4.5V | |
| قدرت - حداکثر | 600mW | |
| بسته بندی / مورد | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1325pF @ 10V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 20nC @ 4.5V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6A, 4.4A | |
| پیکر بندی | N and P-Channel | |
| شماره محصول پایه | FDW25 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FDW2520C دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDW2520C | FDW2516NZ | FDW2515NZ | FDW2521C |
| سازنده | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| سلسله | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| پیکر بندی | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | N and P-Channel |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 20nC @ 4.5V | 12nC @ 5V | 12nC @ 5V | 17nC @ 4.5V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6A, 4.4A | 5.8A | 5.8A (Ta) | 5.5A, 3.8A |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | 20V | 20V | 20V |
| بسته بندی / مورد | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-TSSOP |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| شماره محصول پایه | FDW25 | FDW25 | FDW25 | FDW25 |
| قدرت - حداکثر | 600mW | 1.1W | 1.1W (Ta) | 600mW |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 18mOhm @ 6A, 4.5V | 30mOhm @ 5.8A, 4.5V | 28mOhm @ 5.8A, 4.5V | 21mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1325pF @ 10V | 745pF @ 10V | 745pF @ 10V | 1082pF @ 10V |
بارگیری داده های FDW2520C PDF و مستندات onsemi را برای FDW2520C - onsemi بارگیری کنید.
FDW254PonsemiMOSFET P-CH 20V 9.2A 8TSSOPFDW2516NZonsemiMOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8TSSOPFDW2520C MOSFairchild (onsemi)FDW2515NZFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDW252PonsemiMOSFET P-CH 20V 8.8A 8TSSOPFDW2521ConsemiMOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOPFDW2512NZ_NLFairchild (onsemi)FDW254P MOSFairchild (onsemi)FDW2515NZ MOSFairchild (onsemi)FDW2521CFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFETFDW2516NZ MOSFairchild (onsemi)FDW2512NZFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDW2516NZFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDW252P MOSFairchild (onsemi)FDW254PZonsemiMOSFET P-CH 20V 9.2A 8TSSOPFDW2512NZonsemiMOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOPFDW252PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 8.8A 8TSSOPFDW2512NZ MOSFairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.