مشخصات فناوری FDN338P
مشخصات فنی onsemi - FDN338P ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FDN338P
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±8V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | SOT-23-3 | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 115mOhm @ 1.6A, 4.5V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 500mW (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 451 pF @ 10 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 6.2 nC @ 4.5 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 2.5V, 4.5V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) | |
| شماره محصول پایه | FDN338 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FDN338P دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDN338P | FDN338P | FDN339AN | FDN338P |
| سازنده | onsemi | UMW | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| شماره محصول پایه | FDN338 | - | FDN339 | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 6.2 nC @ 4.5 V | 10 nC @ 4.5 V | 10 nC @ 4.5 V | 6.2 nC @ 4.5 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 500mW (Ta) | 400mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 451 pF @ 10 V | 405 pF @ 10 V | 700 pF @ 10 V | 451 pF @ 10 V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| بسته بندی / مورد | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 115mOhm @ 1.6A, 4.5V | 112mOhm @ 2.8A, 4.5V | 35mOhm @ 3A, 4.5V | 115mOhm @ 1.6A, 4.5V |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسله | PowerTrench® | UMW | PowerTrench® | PowerTrench® |
| VGS (حداکثر) | ±8V | ±8V | ±8V | ±8V |
| کننده بسته بندی دستگاه | SOT-23-3 | SOT-23 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) | 2.8A (Ta) | 3A (Ta) | 1.6A (Ta) |
بارگیری داده های FDN338P PDF و مستندات onsemi را برای FDN338P - onsemi بارگیری کنید.
FDN338PUMW20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
FDN337AMI Semiconductor/onsemi
FDN338P-NLGC ElectronicsFDN337PKEFANFDN339AN-NLFairchild (onsemi)FDN339ANonsemiMOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3FDN339Fairchild (onsemi)FDN338P MOSFairchild (onsemi)FDN339AN MOSFairchild (onsemi)FDN338PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDN337NonsemiMOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3FDN338P(338)Fairchild (onsemi)FDN339ANFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDN337N MOSFairchild (onsemi)FDN337N-NLFairchild (onsemi)FDN338Fairchild (onsemi)FDN338P_NLFairchildFDN336P_NLFairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.