مشخصات فناوری FDG6316P
مشخصات فنی onsemi - FDG6316P ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FDG6316P
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | SC-88 (SC-70-6) | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 270mOhm @ 700mA, 4.5V | |
| قدرت - حداکثر | 300mW | |
| بسته بندی / مورد | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 146pF @ 6V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 2.4nC @ 4.5V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 12V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 700mA | |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | FDG6316 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FDG6316P دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDG6316P | FDG6314P | FDG6318P | FDG6318PZ |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| قدرت - حداکثر | 300mW | - | 300mW | 300mW |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 146pF @ 6V | - | 83pF @ 10V | 85.4pF @ 10V |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| کننده بسته بندی دستگاه | SC-88 (SC-70-6) | SC-88 (SC-70-6) | SC-88 (SC-70-6) | SC-88 (SC-70-6) |
| بسته بندی / مورد | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 250µA | - | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| شماره محصول پایه | FDG6316 | FDG6314 | FDG6318 | FDG6318 |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 270mOhm @ 700mA, 4.5V | - | 780mOhm @ 500mA, 4.5V | 780mOhm @ 500mA, 4.5V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 12V | 25V | 20V | 20V |
| سلسله | PowerTrench® | - | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 700mA | - | 500mA | 500mA |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 2.4nC @ 4.5V | - | 1.2nC @ 4.5V | 1.62nC @ 4.5V |
بارگیری داده های FDG6316P PDF و مستندات onsemi را برای FDG6316P - onsemi بارگیری کنید.
FDG6308P MOSFairchild (onsemi)FDG6313N-NLFairchild (onsemi)FDG6318P-NLFairchild (onsemi)FDG6314PonsemiMOSFET 2P-CH 25V SC70-6FDG6308P-NLFairchild (onsemi)FDG6313N/NLFairchild (onsemi)
FDG6316P-NLAMI Semiconductor/onsemiFDG6318PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6FDG6318PZonsemiMOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6FDG6308PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88FDG6317NZ-NLAMI Semiconductor/onsemiFDG6313NonsemiMOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6FDG6317NZonsemiMOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6FDG6316P MOSFairchild (onsemi)FDG6313N MOSFairchild (onsemi)FDG6318P MOSFairchild (onsemi)FDG6317NZ MOSFairchild (onsemi)FDG6313NFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.