مشخصات فناوری FDD5N50NZTM
مشخصات فنی onsemi - FDD5N50NZTM ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FDD5N50NZTM
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±25V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-252AA | |
| سلسله | UniFET™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.5Ohm @ 2A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 62W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 440 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 12 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | FDD5N50 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FDD5N50NZTM دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDD5N50NZTM | FDD5N50NZFTM | FDD5N50UTM | FDD5N50TM |
| سازنده | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| شماره محصول پایه | FDD5N50 | FDD5N50 | - | - |
| سلسله | UniFET™ | UniFET-II™ | - | PowerTrench® |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | Bulk |
| VGS (حداکثر) | ±25V | ±25V | - | ±30V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-252AA | TO-252AA | - | TO-252, (D-Pak) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | - | 5V @ 250µA |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 440 pF @ 25 V | 485 pF @ 25 V | - | 640 pF @ 25 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 62W (Tc) | 62.5W (Tc) | - | 40W (Tc) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4A (Tc) | 3.7A (Tc) | - | 4A (Tc) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 12 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | - | 15 nC @ 10 V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.5Ohm @ 2A, 10V | 1.75Ohm @ 1.85A, 10V | - | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | 500 V | - | 500 V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | - | 10V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
بارگیری داده های FDD5N50NZTM PDF و مستندات onsemi را برای FDD5N50NZTM - onsemi بارگیری کنید.
FDD5N50FTM-WSONsemiFDD5N50NZFTMonsemiMOSFET N-CH 500V 3.7A DPAKFDD5N50NZFFairchild (onsemi)FDD5N50UTMFairchild Semiconductor3A, 500V, 2OHM, N-CHANNEL MOSFETFDD5N50FFairchild (onsemi)FDD5N50UFairchild (onsemi)FDD5N50NZFairchild (onsemi)FDD5N50TMFairchild Semiconductor4A, 500V, 1.4OHM, N-CHANNEL POWEFDD5N50 MOSFairchild (onsemi)FDD5N50NZFTMFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDD5N50FTMFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDD5N53TMFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDD5N50Fairchild (onsemi)FDD5N60NZFairchild (onsemi)FDD6030BL MOSFairchild (onsemi)FDD6030BLFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFET
FDD6030AFSCFDD5N60NZTMonsemiMOSFET N-CH 600V 4A DPAK| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.