مشخصات فناوری FDD120AN15A0
مشخصات فنی onsemi - FDD120AN15A0 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FDD120AN15A0
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | onsemi | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | TO-252AA | |
سلسله | PowerTrench® | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 120mOhm @ 4A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 65W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 770 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 14.5 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 6V, 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 150 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.8A (Ta), 14A (Tc) | |
شماره محصول پایه | FDD120 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FDD120AN15A0 دارند.
ویژگی محصول | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | FDD120AN15A0 | FDD120AN15A0 | FDD10N20LZTM | FDD13AN06A0 |
سازنده | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 120mOhm @ 4A, 10V | 120mOhm @ 4A, 10V | 360mOhm @ 3.8A, 10V | 13.5mOhm @ 50A, 10V |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.8A (Ta), 14A (Tc) | 2.8A (Ta), 14A (Tc) | 7.6A (Tc) | 9.9A (Ta), 50A (Tc) |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 150 V | 150 V | 200 V | 60 V |
شماره محصول پایه | FDD120 | - | - | FDD13AN06 |
بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
کننده بسته بندی دستگاه | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 65W (Tc) | 65W (Tc) | 83W (Tc) | 115W (Tc) |
سلسله | PowerTrench® | PowerTrench® | UniFET™ | PowerTrench® |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
FET ویژگی | - | - | - | - |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 14.5 nC @ 10 V | 14.5 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 6V, 10V | 6V, 10V | 5V, 10V | 6V, 10V |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 770 pF @ 25 V | 770 pF @ 25 V | 585 pF @ 25 V | 1350 pF @ 25 V |
بارگیری داده های FDD120AN15A0 PDF و مستندات onsemi را برای FDD120AN15A0 - onsemi بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.