مشخصات فناوری FDC3612
مشخصات فنی onsemi - FDC3612 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FDC3612
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | SuperSOT™-6 | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 125mOhm @ 2.6A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.6W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 660 pF @ 50 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 20 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 6V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) | |
| شماره محصول پایه | FDC3612 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FDC3612 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDC3612 | FDC30N20DZ | FDC3512 | FDC365P |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 6V, 10V | 4.5V, 10V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| بسته بندی / مورد | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) | 4.6A (Ta) | 3A (Ta) | 4.3A (Ta) |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| سلسله | PowerTrench® | - | PowerTrench® | PowerTrench® |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | 30 V | 80 V | 35 V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 660 pF @ 50 V | 535 pF @ 15 V | 634 pF @ 40 V | 705 pF @ 20 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| کننده بسته بندی دستگاه | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.6W (Ta) | 960mW (Ta) | 1.6W (Ta) | 1.6W (Ta) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| شماره محصول پایه | FDC3612 | FDC30N20 | FDC3512 | FDC365 |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 125mOhm @ 2.6A, 10V | 31mOhm @ 4.6A, 10V | 77mOhm @ 3A, 10V | 55mOhm @ 4.2A, 10V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 20 nC @ 10 V | 7.9 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
بارگیری داده های FDC3612 PDF و مستندات onsemi را برای FDC3612 - onsemi بارگیری کنید.
FDC3512P-NLFairchild (onsemi)
FDC37B727-NSMicrochip TechnologyIC INTERFACE SPECIALIZED 128QFPFDC37B777SMSCFDC30N20DZonsemiMOSFET N-CH 30V 4.6A SUPERSOT6FDC37B807SMSCFDC3535-NLFairchild (onsemi)FDC3612P-NLFairchild (onsemi)FDC3612 MOSFairchild (onsemi)FDC3601N MOSAMI Semiconductor/onsemiFDC306PFairchild (onsemi)FDC37B727SMSCFDC3601NonsemiMOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6FDC3512onsemiMOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6FDC365PonsemiMOSFET P-CH 35V 4.3A SUPERSOT6FDC3616N-NLFDC3535onsemiMOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6FDC37B727QFPSMSCFDC3535 MOSAMI Semiconductor/onsemi| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.