مشخصات فناوری FCP4N60
مشخصات فنی onsemi - FCP4N60 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FCP4N60
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | SuperFET™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.2Ohm @ 2A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 50W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 540 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 16.6 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3.9A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | FCP4 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FCP4N60 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FCP4N60 | FCP380N60E | FCP7N60 | FCP400N80Z |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 600 V | 600 V | 800 V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.2Ohm @ 2A, 10V | 380mOhm @ 5A, 10V | 600mOhm @ 3.5A, 10V | 400mOhm @ 5.5A, 10V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 50W (Tc) | 106W (Tc) | 83W (Tc) | 195W (Tc) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3.9A (Tc) | 10.2A (Tc) | 7A (Tc) | 14A (Tc) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4.5V @ 1.1mA |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 16.6 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V |
| شماره محصول پایه | FCP4 | FCP380 | FCP7 | FCP400 |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±20V | ±30V | ±20V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسله | SuperFET™ | SuperFET® II | SuperFET™ | SuperFET® II |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 540 pF @ 25 V | 1770 pF @ 25 V | 920 pF @ 25 V | 2350 pF @ 1000 V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
بارگیری داده های FCP4N60 PDF و مستندات onsemi را برای FCP4N60 - onsemi بارگیری کنید.
FCP3N80CFairchild (onsemi)FCP380N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3FCP7N60onsemiMOSFET N-CH 600V 7A TO220-3FCP400N80ZonsemiMOSFET N-CH 800V 14A TO220-3FCP380N60EFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3FCP380N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FCP36N60NonsemiPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPREMOFCP650N80ZONsemiFCP9N60NFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 9A TO220-3FCP850N80ZONsemiFCP4N80Fairchild (onsemi)FCP4N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FCP7N80CFairchild (onsemi)FCP36N60N MOSFairchild (onsemi)FCP600N60ZonsemiMOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3FCP600N60ZFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFCP380N60onsemiMOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3FCP7N60 MOSFairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.