مشخصات فناوری FCH104N60
مشخصات فنی onsemi - FCH104N60 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FCH104N60
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247-3 | |
| سلسله | SuperFET® II | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 104mOhm @ 18.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 357W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4165 pF @ 380 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 82 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 37A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | FCH104 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FCH104N60 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FCH104N60 | FCH085N80-F155 | FCH085N80-F155 | FCH099N65S3-F155 |
| سازنده | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 82 nC @ 10 V | 255 nC @ 10 V | 255 nC @ 10 V | 61 nC @ 10 V |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
| سلسله | SuperFET® II | SuperFET® II | SuperFET® II | SuperFET® III |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 250µA | 4.5V @ 4.6mA | 4.5V @ 4.6mA | 4.5V @ 3mA |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 104mOhm @ 18.5A, 10V | 85mOhm @ 23A, 10V | 85mOhm @ 23A, 10V | 99mOhm @ 15A, 10V |
| شماره محصول پایه | FCH104 | - | FCH085 | FCH099 |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 800 V | 800 V | 650 V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4165 pF @ 380 V | 10825 pF @ 100 V | 10825 pF @ 100 V | 2480 pF @ 400 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 357W (Tc) | 446W (Tc) | 446W (Tc) | 227W (Tc) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 37A (Tc) | 46A (Tc) | 46A (Tc) | 30A (Tc) |
| بسته بندی کردن | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
بارگیری داده های FCH104N60 PDF و مستندات onsemi را برای FCH104N60 - onsemi بارگیری کنید.
FCH10A10NIECFCH10A04NIECFCH08U10NIECFCH10A06NIECFCH08A06NIECFCH104N60EFairchild (onsemi)FCH085N80-F155Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 46A TO247FCH085N80-F155onsemiMOSFET N-CH 800V 46A TO247
FCH10A20KYOCERA AVXDIODE SCHOT 200V 10A TO220 FFCH099N65S3-F155onsemiMOSFET N-CH 650V 30A TO247-3FCH10A15KYOCERA AVXDIODE SCHOT 150V 10A TO220 FFCH08A10NIECFCH104N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FCH099N65S3AMI Semiconductor/onsemiFCH099N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO247-3FCH104N60F-F085ONsemiFCH08A15FCH104N60FonsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO247-3| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.