مشخصات فناوری FCA47N60
مشخصات فنی onsemi - FCA47N60 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FCA47N60
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3PN | |
| سلسله | SuperFET™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 70mOhm @ 23.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 417W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 8000 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 270 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 47A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | FCA47 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FCA47N60 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FCA47N60 | FCA47N60F | FCA35N60 | FCA36N60NF |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 270 nC @ 10 V | 270 nC @ 10 V | 181 nC @ 10 V | 112 nC @ 10 V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| شماره محصول پایه | FCA47 | FCA47N60 | FCA35 | FCA36N60 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 47A (Tc) | 47A (Tc) | 35A (Tc) | 34.9A (Tc) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 417W (Tc) | 417W (Tc) | 312.5W (Tc) | 312W (Tc) |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 8000 pF @ 25 V | 8000 pF @ 25 V | 6640 pF @ 25 V | 4245 pF @ 100 V |
| سلسله | SuperFET™ | SuperFET™ | SuperFET™ | FRFET®, SupreMOS® |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 70mOhm @ 23.5A, 10V | 73mOhm @ 23.5A, 10V | 98mOhm @ 17.5A, 10V | 95mOhm @ 18A, 10V |
بارگیری داده های FCA47N60 PDF و مستندات onsemi را برای FCA47N60 - onsemi بارگیری کنید.
FCA3216MF4-121T03TAI-TECHFCA47N60FonsemiMOSFET N-CH 600V 47A TO3PNFCA50BC50SANREXIGBT ModuleFCA3216M4-301T02FCA3216KF4-600T04TAI-TECHFCA50AB50SANREXIGBT ModuleFCA3216KF4-601T02TAI-TECHFCA75AA50SANREXIGBT Module
FCA47N60_F109Fairchild (onsemi)FCA50AA50IGBT ModuleFCA50CC50SANREXIGBT ModuleFCA3216KF4-301T02TAI-TECHFCA3216KF4-471T02TAI-TECHFCA50CA50SANREXIGBT ModuleFCA35N60onsemiMOSFET N-CH 600V 35A TO3PNFCA3216KF4-121T03TAI-TECHFCA36N60NFonsemiMOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PNFCA50BA50SANREXIGBT Module| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.