مشخصات فناوری 5HN01M-TL-H
مشخصات فنی onsemi - 5HN01M-TL-H ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - 5HN01M-TL-H
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | - | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | MCP | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 7.5Ohm @ 50mA, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 150mW (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | SC-70, SOT-323 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 6.2 pF @ 10 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 1.4 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 50 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 100mA (Ta) | |
| شماره محصول پایه | 5HN01 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi 5HN01M-TL-H دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | 5HN01M-TL-H | 5HN01M-TL-E | 5HN01C-TB-H | 5HN01S-TL-E |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| بسته بندی / مورد | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SC-75, SOT-416 |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 150mW (Ta) | 150mW (Ta) | - | - |
| سلسله | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | MCP | MCP | SMCP | SMCP |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 100mA (Ta) | 100mA (Ta) | - | - |
| شماره محصول پایه | 5HN01 | 5HN01 | 5HN01 | 5HN01 |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 6.2 pF @ 10 V | 6.2 pF @ 10 V | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | - | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | - | - | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 7.5Ohm @ 50mA, 10V | 7.5Ohm @ 50mA, 10V | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 1.4 nC @ 10 V | 1.4 nC @ 10 V | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 50 V | 50 V | - | - |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4V, 10V | 4V, 10V | - | - |
بارگیری داده های 5HN01M-TL-H PDF و مستندات onsemi را برای 5HN01M-TL-H - onsemi بارگیری کنید.
5HN01CPA-TBAMI Semiconductor/onsemi5HN01CAMI Semiconductor/onsemi5HN01CPAAMI Semiconductor/onsemi5HN01M-TL-EonsemiMOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP5HN01C-TB-HonsemiMOSFET N-CH 50V 100MA SMD5HN02C-TBAMI Semiconductor/onsemi
5HN02M-TL5HN01S-TL-EonsemiMOSFET N-CH 50V 100MA SMCP35HN02CAMI Semiconductor/onsemi5HN01SS-TL-EonsemiMOSFET N-CH 50V 100MA SSFP35HN01C-TB-EonsemiMOSFET N-CH 50V 100MA CP35HNOM-TLAMI Semiconductor/onsemi5HN02M-TL-EonsemiN-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET5HN01C-TB5HN01M-T1B/YCAMI Semiconductor/onsemi5HN01CPA-TB-EAMI Semiconductor/onsemi5HN02MAMI Semiconductor/onsemi5HN01MAMI Semiconductor/onsemi| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.