مشخصات فناوری 2SJ656
مشخصات فنی onsemi - 2SJ656 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - 2SJ656
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | - | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220ML | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 75.5mOhm @ 9A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2W (Ta), 30W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 Full Pack | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4200 pF @ 20 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 74 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 18A (Ta) | |
| شماره محصول پایه | 2SJ656 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi 2SJ656 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | 2SJ656 | 2SJ652-1E | 2SJ661-1EX | 2SJ654 |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4200 pF @ 20 V | 4360 pF @ 20 V | - | - |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2W (Ta), 30W (Tc) | 2W (Ta), 30W (Tc) | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| سلسله | - | - | - | * |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 75.5mOhm @ 9A, 10V | 38mOhm @ 14A, 10V | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 74 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | - | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| شماره محصول پایه | 2SJ656 | 2SJ652 | 2SJ661 | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | - | - | - | - |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | - | - |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4V, 10V | 4V, 10V | 4V, 10V | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 18A (Ta) | 28A (Ta) | 38A (Tj) | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | 60 V | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220ML | TO-220F-3SG | - | - |
بارگیری داده های 2SJ656 PDF و مستندات onsemi را برای 2SJ656 - onsemi بارگیری کنید.
2SJ652-1EonsemiMOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
2SJ668 MOSTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SJ652-THAMI Semiconductor/onsemi2SJ661-1EXonsemiMOSFET P-CH I2PAK2SJ654onsemiP-CHANNL SILICON MOSFET
2SJ655/J655SAY2SJ668TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SJ653/J653SAY2SJ666-DL-EAMI Semiconductor/onsemi2SJ669TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SJ661AMI Semiconductor/onsemi2SJ668(Q)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SJ655onsemiMOSFET P-CH 100V 12A TO220ML2SJ659-DL-EonsemiPCH 4V DRIVE SERIES2SJ655 J655AMI Semiconductor/onsemi2SJ653onsemiPOWER MOSFET MOTOR DRIVERS2SJ653-TH MOSAMI Semiconductor/onsemi2SJ657SanyoP-CHANNL SILICON MOSFET FOR GENE| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.