سامسونگ DRAM سطح 12 نانومتری 32 گیگابایتی DDR5 را راه اندازی می کند و از ماژول های حافظه 128 گیگابایتی پشتیبانی می کند
براساس WCCFTECH ، سامسونگ از راه اندازی اولین راه حل DRAM 32 گیگابایتی DDR5 در جهان بر اساس فناوری فرآیند 12 نانومتری خبر داده است ، که می تواند تا 128 گیگابایت ماژول های حافظه پشتیبانی کند.
تاکنون تولید کنندگان حافظه مانند SK Hynix و Micron DRAM 24 گیگابایتی DDR5 را ارائه داده اند که می توانند به یک محلول حافظه 96 گیگابایتی برسند ، اما سامسونگ با یک محلول سطح 12 نانومتر ظرفیت 33.3 ٪ را افزایش داده است.در همین زمان ، میکرون همچنین راه اندازی DRAM 32 گیگابایتی DDR5 را تأیید کرده است ، اما تاکنون فقط یک نقشه راه منتشر شده است.
سامسونگ از شروع تولید انبوه از DRAM 12 نانومتری سطح 16 گیگابایتی DDR5 در ماه مه امسال خبر داد.DRAM جدید 12 نانومتری DDR5 سطح 32 گیگابایتی برای شروع تولید انبوه در پایان سال جاری آغاز شده است.
سامسونگ اظهار داشت که با یک درام سطح 12 نانومتری 32 گیگابایتی ، راه حلی که می تواند حداکثر 1TB ماژول های DRAM را بدست آورد ، می تواند تقاضای فزاینده ای برای درام با ظرفیت بالا در دوران هوش مصنوعی را برآورده کند.
سامسونگ اولین درام 64KB خود را در سال 1983 توسعه داد و ظرفیت DRAM خود را با موفقیت 500000 بار طی چهل سال گذشته افزایش داده است.
آخرین محصولات حافظه سامسونگ با استفاده از فرآیندهای برش و فن آوری ها برای بهبود تراکم ادغام و بهینه سازی طراحی توسعه یافته اند.آنها دارای بالاترین ظرفیت تراشه درام تک صنعت هستند و دو برابر ظرفیت DRAM 16 گیگابایتی DDR5 را در همان اندازه بسته بندی ارائه می دهند.
پیش از این ، ماژول های DRAM DDR5 128GB تولید شده با استفاده از DRAM 16 گیگابایتی نیاز به استفاده از سیلیکون از طریق فناوری Hole (TSV) داشت.اکنون ، با استفاده از DRAM سامسونگ 32 گیگابایتی ، ماژول های 128 گیگابایتی بدون استفاده از فناوری TSV قابل تولید است ، در حالی که مصرف برق را در مقایسه با ماژول های 128 گیگابایتی با استفاده از DRAM 16 GB کاهش می دهد.این پیشرفت فناوری این محصول را به یکی از بهترین راه حل ها برای شرکتهای آگاهانه با بهره وری انرژی مانند مراکز داده تبدیل می کند.
بر اساس درام DDR5 سطح 12 نانومتری DDR5 ، سامسونگ قصد دارد تا به گسترش ترکیب تولید DRAM با ظرفیت بالا برای پاسخگویی به نیازهای فعلی و آینده صنایع محاسباتی و فناوری اطلاعات ادامه دهد.سامسونگ با ارائه DRAM سطح 12 نانومتری سطح 32 گیگابایتی به مشتریان در مراکز داده ، هوش مصنوعی و برنامه های محاسباتی نسل بعدی ، موقعیت رهبری خود را در بازار DRAM نسل بعدی تأکید می کند.
سامسونگ از شروع تولید انبوه از DRAM 12 نانومتری سطح 16 گیگابایتی DDR5 در ماه مه امسال خبر داد.DRAM جدید 12 نانومتری DDR5 سطح 32 گیگابایتی برای شروع تولید انبوه در پایان سال جاری آغاز شده است.
سامسونگ اظهار داشت که با یک درام سطح 12 نانومتری 32 گیگابایتی ، راه حلی که می تواند حداکثر 1TB ماژول های DRAM را بدست آورد ، می تواند تقاضای فزاینده ای برای درام با ظرفیت بالا در دوران هوش مصنوعی را برآورده کند.
سامسونگ اولین درام 64KB خود را در سال 1983 توسعه داد و ظرفیت DRAM خود را با موفقیت 500000 بار طی چهل سال گذشته افزایش داده است.
آخرین محصولات حافظه سامسونگ با استفاده از فرآیندهای برش و فن آوری ها برای بهبود تراکم ادغام و بهینه سازی طراحی توسعه یافته اند.آنها دارای بالاترین ظرفیت تراشه درام تک صنعت هستند و دو برابر ظرفیت DRAM 16 گیگابایتی DDR5 را در همان اندازه بسته بندی ارائه می دهند.
پیش از این ، ماژول های DRAM DDR5 128GB تولید شده با استفاده از DRAM 16 گیگابایتی نیاز به استفاده از سیلیکون از طریق فناوری Hole (TSV) داشت.اکنون ، با استفاده از DRAM سامسونگ 32 گیگابایتی ، ماژول های 128 گیگابایتی بدون استفاده از فناوری TSV قابل تولید است ، در حالی که مصرف برق را در مقایسه با ماژول های 128 گیگابایتی با استفاده از DRAM 16 GB کاهش می دهد.این پیشرفت فناوری این محصول را به یکی از بهترین راه حل ها برای شرکتهای آگاهانه با بهره وری انرژی مانند مراکز داده تبدیل می کند.
بر اساس درام DDR5 سطح 12 نانومتری DDR5 ، سامسونگ قصد دارد تا به گسترش ترکیب تولید DRAM با ظرفیت بالا برای پاسخگویی به نیازهای فعلی و آینده صنایع محاسباتی و فناوری اطلاعات ادامه دهد.سامسونگ با ارائه DRAM سطح 12 نانومتری سطح 32 گیگابایتی به مشتریان در مراکز داده ، هوش مصنوعی و برنامه های محاسباتی نسل بعدی ، موقعیت رهبری خود را در بازار DRAM نسل بعدی تأکید می کند.