ترانزیستور سیلیکون Epitaxial SS8050 NPN: عملکرد بالا برای تقویت سیگنال کوچک و سوئیچینگ
در دنیای نیمه هادی ها ، سه گانه - که اغلب به عنوان ترانزیستورهای دو قطبی گفته می شود - به عنوان اجزای اولیه در الکترونیک مدرن قرار می گیرند.توانایی آنها در تنظیم و تقویت جریانهای الکتریکی باعث می شود که آنها در طیف گسترده ای از برنامه ها ، از تقویت سیگنال آنالوگ گرفته تا تعویض کارآمد در مدارهای دیجیتال ، لازم را لازم کنند.در این مقاله ، ما تمرکز خود را به SS8050 تبدیل می کنیم ، یک ترانزیستور سیلیکون Epitaxial NPN که به دلیل تطبیق پذیری و قابلیت اطمینان آن در تقویت و تعویض کم مصرف شناخته شده است.ما ساختار ، خصوصیات و کاربردهای عملی آن را بررسی خواهیم کرد ، و این مسئله را که SS8050 یک انتخاب قابل اعتماد برای الکترونیک روزمره و سیستم های پیچیده تر است ، بررسی خواهیم کرد.این که آیا شما به عملکرد با فرکانس بالا یا نقش آن در تقویت سیگنال های صوتی علاقه مند هستید ، این راهنما نگاهی جامع به آنچه SS8050 را به یک مؤلفه خطرناک در طراحی الکترونیک مدرن تبدیل می کند ، ارائه می دهد.کاتالوگ
نمای کلی ترانزیستور SS8050
در SS8050 یک ترانزیستور کم نظیر NPN با NPN همه کاره است که اغلب در کارهای تقویت و تعویض استفاده می شود.این همراه با همتای PNP مکمل خود ، SS8550 ، برای تشکیل یک دوتایی کامل ترانزیستور جفت می شود.محصور شده در یک پوشش به 92 ، ویژگی های قابل توجهی مانند تقویت جریان زیاد ، نویز کم و عملکرد با فرکانس بالا قابل توجه را نشان می دهد.
از لحاظ ساختاری ، SS8050 از سه منطقه تشکیل شده است: از نوع N-Emitter ، پایه P نوع و جمع کننده نوع N.این مناطق اهمیت آن را به عنوان یک ترانزیستور اتصال دو قطبی با قابلیت تقویت جریان فوق العاده کارآمد برجسته می کند.خصوصیات الکتریکی قوی SS8050 باعث می شود که آن را برای مجموعه ای از برنامه های کم مصرف ، از جمله تقویت کننده های صوتی و مدارهای تعویض مناسب ، مناسب باشد.
توانایی SS8050 برای انجام در شرایط کم نویز ، آن را به یک مؤلفه گرامی در برنامه های فرکانس صوتی تبدیل می کند و از کیفیت صدای بکر و بدون اختلال بیرونی اطمینان می دهد.فراتر از قدرت خود در برنامه های صوتی ، عملکرد با فرکانس بالا ستاره ای SS8050 به آن اجازه می دهد تا در دستگاه های ارتباطی رشد کند و عملکرد آن را تقویت کند.
تعویض ترانزیستور SS8050
جدید MPS650G
جدید MPS651
جدید MPS8050
جدید S9013
جدید 2N5551
جدید 2N5830
مشخصات فنی SS8050
SS8050 ، که توسط تولید کنندگان معتبر Onsemi و Fairchild ساخته شده است ، به عنوان یک ترانزیستور NPN انعطاف پذیر و قابل اعتماد است.تعادل عملکرد و عملی آن ، آن را در بسیاری از برنامه های الکترونیکی پذیرفته است.ترسیم در مشخصات فنی آن نقاط قوت و سناریوهای استفاده ایده آل را در معرض دید قرار می دهد.SS8050 که در یک بسته SOT-23-3 محصور شده است ، از طراحی جمع و جور و در عین حال مؤثر خود قدردانی می شود.
این ابعاد دقیق این مورد است.
- طول: 4.58 میلی متر
- عرض: 3.86 میلی متر
- ارتفاع: 4.58 میلی متر
این اندازه گیری ها باعث می شود که برای بسیاری از برنامه های نصب شده در سوراخ ، به ویژه هنگامی که فضا محدود است ، مناسب باشد.طراحی مورد TO-92-3 همچنین باعث اتلاف گرمای کارآمد می شود و قابلیت اطمینان ترانزیستور را در محیط های مختلف عملیاتی حفظ می کند.
اتلاف قدرت
SS8050 دارای امتیاز اتلاف قدرت از 1 W است. این رتبه بندی بیشترین میزان نیرویی را که ترانزیستور می تواند بدون نقض مرزهای حرارتی پراکنده کند ، نشان می دهد.در مدارهایی که ترانزیستور ممکن است بارهای مختلفی را تحمل کند ، این ویژگی به ثابت نگه داشتن عملکرد کمک می کند و از گرمای بیش از حد جلوگیری می کند.مشاهدات نشان می دهد که رعایت محدودیت های اتلاف قدرت ، طول عمر عملیاتی ترانزیستور را گسترش می دهد و نرخ خرابی را محدود می کند.
جاری
SS8050 با پشتیبانی از جریان جمع کننده مداوم 1.5 A ، برای رانندگی بارهای متوسط مناسب است.این موارد شامل موتورهای کوچک ، LED ها و سایر مؤلفه هایی است که به جریان جریان پایدار نیاز دارند.توانایی آن در مدیریت این فعلی با اطمینان ، آن را به گزینه ای ارجح در الکترونیک مصرفی و کاربردهای صنعتی تبدیل می کند.
دامنه دما
SS8050 به طور موثری در دمای دمای -65 درجه سانتیگراد تا 150 درجه سانتیگراد اجرا می شود و استحکام آن را در شرایط متنوع نشان می دهد.این دامنه وسیع اجازه می دهد تا در آب و هوای مختلف مستقر شود و هم از گرمای شدید و هم گرمای شدید برخورد کند.استفاده از مؤلفه ها در محدوده دمای مشخص شده آنها نه تنها عملکرد بهتری را ارائه می دهد بلکه طول عمر را نیز تضمین می کند ، زیرا افراط و تفریط می تواند ثبات و قابلیت اطمینان الکترونیکی را تضعیف کند.
ترانزیستورهای NPN در مقابل PNP
ترانزیستور NPN (SS8050)
برای ترانزیستور SS8050 ، رابطه فعلی از IE = IC + IB پیروی می کند.با پایه گذاری سه پین ، می توانید حالتهای عملیاتی آن را جدا کنید.
حالت تقویت شده-شرط VC> VB> VE یک حالت تقویت شده را نشان می دهد که در آن امیتر مغرضانه مثبت است و جمع کننده با تعصب معکوس است.این پیکربندی توانایی ترانزیستور را در تقویت سیگنال ها ، حک کردن نقش ضروری آن در تقویت صدا در الکترونیک مصرفی و پالایش سیگنال ها در دستگاه های ارتباطی سوق می دهد.
حالت اشباع - در این حالت ، جایی که VB> VC> VE ، هر دو emitter و جمع کننده با تعصب مثبت هستند.این شرایط ترانزیستور را به اشباع سوق می دهد و به حداکثر جریان اجازه می دهد تا از جمع کننده به سمت امیتر برسد.این حالت در منبع تغذیه حالت سوئیچ و مدارهای منطق دیجیتال که در آن تعویض چابک فعال است مورد سوء استفاده قرار می گیرد.
حالت برش - حالت VB> VE> VC نشان می دهد که هر دو emitter و جمع کننده با تعصب معکوس هستند.در این حالت ، جریان ناچیز از طریق جریان ، به طور موثری ترانزیستور را خاموش می کند.این رفتار حالت های روشن/خاموش را در مدارهای دیجیتال تضمین می کند و باعث تقویت عملیات منطقی قابل اعتماد می شود.از این رو ، سوئیچ ها و رله ها این حالت را برای کنترل جریان قدرت به طور مؤثر مستقر می کنند.
ترانزیستور PNP (SS8550)
برای ترانزیستور SS8550 ، رابطه فعلی از IC = IE + IB پیروی می کند.با پایه گذاری سه پین ، حالت های عملیاتی آن قابل شناسایی است.
حالت تقویت شده-در این حالت ، VE> VB> VC ، emitter با تعصب مثبت و جمع کننده با تعصب معکوس است.ترانزیستور در منطقه تقویت خود ، شبیه به ترانزیستور NPN اما با قطبیت معکوس عمل می کند.این حالت در مدارهای آنالوگ مانند سیستم های تنظیم ولتاژ ، که در آن سیگنال های خروجی پایدار حاکم هستند ، اعمال می شود.
حالت اشباع - هنگامی که VE> VC> VB ، هر دو emitter و جمع کننده با تعصب مثبت هستند.ترانزیستور PNP اجازه می دهد تا حداکثر جریان جریان از امیتر به جمع کننده در این حالت باشد.این برای مدارهایی که نیاز به انتقال سریع بین کشورهای روشن و خاموش مانند سیستم های مدیریت انرژی و برنامه های کنترل حرکتی دارند ، بسیار مناسب است.
حالت قطع - شرط VB> VE> VC نشان می دهد که هر دو emitter و جمع کننده با تعصب معکوس هستند.این ترانزیستور را در حالت قطع قرار می دهد و در نتیجه جریان جریان قابل توجهی ایجاد نمی شود ، بنابراین ترانزیستور را خاموش می کند.از نظر عملی ، این رفتار برای کنترل کارآمد تحویل انرژی در دستگاه های الکترونیکی ، اطمینان از حفاظت از انرژی و جلوگیری از استفاده از انرژی زائد لازم است.
اجرای ترانزیستور SS8050
ترانزیستور SS8050 همه کاره است و به طور گسترده در مدارهای تقویت ، تعویض و تنظیم مورد استفاده قرار می گیرد.معمولاً در سیستم های مدیریت انرژی و تقویت کننده های صوتی ظاهر می شود.در زیر برخی از بینش ها و استراتژی های دقیق برای به حداکثر رساندن اثربخشی آن:
حالت عملیاتی
انتخاب وضعیت عملیاتی - خواه تقویت ، اشباع یا برش - به برنامه خاص بستگی دارد.حفظ ترانزیستور در منطقه فعال خود می تواند عملکرد تقویت کننده را تقویت کند.برای تعویض برنامه ها ، جابجایی بین حالت های اشباع و برش سودمند است.بسیاری از تکنسین های باتجربه معتقدند که کالیبراسیون دقیق نقطه عملیاتی نه تنها باعث افزایش کارایی سیستم می شود بلکه قابلیت اطمینان آن را نیز افزایش می دهد.
تأیید قطبی
تأیید دقیق قطبیت و اتصالات پین ، عملکرد مناسب را تضمین می کند.شناسایی جمع کننده (مشخص شده "C") و emitter (مشخص شده "E") به درستی برای جلوگیری از نقص مدار مناسب است.به طور معمول ، مولتی متری در حین مونتاژ مدار برای تأیید این اتصالات ، کاهش خطر خطاها و اطمینان از عملکرد پایدار.
اتصال مدار
تنظیمات مختلف هنگام ادغام ترانزیستور SS8050 در مدارها امکان پذیر است.
پیکربندی امیتر مشترک - این تنظیم اغلب در تقویت کننده های برق مورد استفاده قرار می گیرد تا ضمن حفظ یکپارچگی سیگنال ، باعث افزایش خروجی انرژی شود.تعصب دقیق محل اتصال پایه برای عملکرد کارآمد پویا است و به طور معمول از طریق یک شبکه تقسیم کننده ولتاژ پایدار حاصل می شود.
پیکربندی جمع کننده متداول - که به دلیل خصوصیات پیروی از ولتاژ شناخته شده است ، این پیکربندی در ارائه تطبیق امپدانس در مدارها نقش مهمی دارد.این تنظیم در مراحل بافر برای حفظ دامنه سیگنال است که برای حفظ وفاداری سیگنال منتقل شده استفاده می شود.
پیکربندی پایه مشترک - ترجیح داده شده برای برنامه های با فرکانس بالا ، پیکربندی پایه مشترک حداقل امپدانس ورودی را ارائه می دهد و پهنای باند بالا اغلب این تنظیم در تقویت کننده های RF پاسخ فرکانس برتر را با حداقل از دست دادن و اعوجاج در فرکانس های بالاتر تضمین می کند.
خصوصیات الکتریکی SS8050
|
نماد |
پارامتر |
شرایط |
حداقل |
تایپ |
حداکثر |
واحد |
|
بویCBO |
ولتاژ تجزیه-پایه |
منجف = 100 میکرومتر ، مناشمیه = 0 |
40 |
حرفهای |
||
|
بویمدیرعامل |
ولتاژ شکست جمع کننده |
منجف = 2 کارشناسی ارشد ، منشرح = 0 |
25 |
حرفهای |
||
|
بویاوبوی |
ولتاژ خرابی پایگاه emitter |
مناشمیه = 100 میکرومتر ، منجف = 0 |
6 |
حرفهای |
||
|
منCBO |
جریان برش جمع کننده |
حرفهایCB = 35 ولت ، مناشمیه = 0 |
100 |
سد |
||
|
مناوبوی |
جریان برش emitter |
حرفهایعکسبرداری = 6 ولت ، منجف = 0 |
100 |
سد |
||
| سخنرانیfe1 |
دی سی سود فعلی |
حرفهایدر نظر گرفتن = 1 ولت ، منجف = 5 کارشناسی ارشد |
45 |
|||
|
سخنرانیfe2 |
حرفهایدر نظر گرفتن = 1 ولت ، منجف = 100 میلی آمپر |
85 |
300 |
|||
|
سخنرانیfe3 |
حرفهایدر نظر گرفتن = 1 ولت ، منجف = 800 کارشناسی ارشد |
40 |
||||
|
حرفهایدر نظر گرفتن(شنبه) |
ولتاژ اشباع جمع کننده |
منجف = 800 کارشناسی ارشد ، منشرح = 80 کارشناسی ارشد |
0.5 |
حرفهای |
||
|
حرفهایبودن(شنبه) |
ولتاژ اشباع پایه پایه |
منجف = 800 کارشناسی ارشد ، منشرح = 80 کارشناسی ارشد |
1.2 |
حرفهای |
||
|
حرفهایبودن(روشن) |
مدیر پایه در ولتاژ |
حرفهایدر نظر گرفتن = 1 ولت ، منجف = 10 کارشناسی ارشد |
1 |
حرفهای |
||
|
جفابهام |
ظرفیت خروجی |
حرفهایCB = 10 ولت ، مناشمیه = 0 ، f = 1 مگاهرتز |
9.0 |
PF |
||
|
جحرف |
محصول پهنای باند افزایش فعلی |
حرفهایدر نظر گرفتن = 10 ولت ، منجف = 50 کارشناسی ارشد |
100 |
MHz |
SS8050 در مقابل S8050
هنگام غواصی به SS8050 و S8050 ، کشف ویژگی های الکتریکی و کاربردهای عملی آنها برای قدردانی بهتر از این مؤلفه ها جذاب می شود.
خاصیت الکتریکی
بررسی خصوصیات الکتریکی SS8050 و S8050 تفاوت هایی را نشان می دهد که بر استفاده از آنها در طرح های مختلف تأثیر می گذارد.
ولتاژ SS8050 30 ولت است در حالی که ولتاژ S8050 40 ولت است. این ظرفیت ولتاژ بالاتر S8050 باعث می شود که مناسب تر برای مدارها باشد که نیاز به ولتاژ تجزیه بیشتری دارند.افزایش فعلی SS8050 از 120 تا 300 متغیر است در حالی که S8050 از 60 تا 150 متغیر است. افزایش جریان بالاتر در SS8050 اغلب نشان دهنده قابلیت های تقویت بهتر است ، و آن را در برنامه هایی که نیاز به تقویت سیگنال قابل توجهی دارند ، ترجیح می دهد.
برنامه
SS8050 جایگاه خود را در مدارهای منبع تغذیه AC پیدا می کند.افزایش مهم جریان آن و رتبه بندی ولتاژ مجزا ، آن را برای سناریوهایی که در آن تقویت قوی و عملکرد پایدار در ولتاژهای نسبتاً بالاتر قرار دارد ، ایده آل می کند.به عنوان مثال ، تقویت کننده های برق در سیستم های صوتی غالباً از ترانزیستورهایی مانند SS8050 برای اطمینان از عملکرد نمونه و کیفیت صدا استفاده می کنند.
از طرف دیگر ، S8050 برای برنامه های کم ولتاژ کم ولتاژ مانند هشدارها و مدارهای سوئیچینگ ساده مناسب است.حداکثر ولتاژ پایین تر و افزایش جریان متوسط آن به خوبی با دستگاه هایی که نیاز به قدرت بالا یا تقویت گسترده ندارند ، مناسب است.به عنوان مثال ، سیستم های امنیتی غالباً S8050 را در مدارهای سنسور پیاده سازی می کنند و عملکرد قابل اعتماد را با حداقل مصرف برق ارائه می دهند.
بسته بندی
بسته بندی فیزیکی این ترانزیستورها همچنین می تواند بر ادغام آنها در طرح های سخت افزاری مختلف تأثیر بگذارد.
SS8050 به طور معمول در یک بسته SOT-23 موجود است.این نوع بسته بندی برای طرح های جمع و جور و سطح سطح مفید است و آن را به یک انتخاب ترجیحی در دستگاه های الکترونیکی مدرن با هدف کوچک سازی تبدیل می کند.
S8050 معمولاً در یک بسته TO-92 قرار می گیرد.این بسته بزرگتر برای برنامه های PCB از طریق سوراخ مناسب تر است و سهولت در انجام کار و نصب را ارائه می دهد ، به خصوص در مراحل نمونه سازی و هنگامی که پشتیبانی مکانیکی قوی ضروری است.
آزمایش ترانزیستور SS8050
برای ارزیابی عملکرد ترانزیستور SS8050 با یک مجموعه مولتی متر در حالت تست دیود شروع می شود و مقاومت بین امیتر پایه و اتصالات پایه جمع آوری را اندازه گیری می کند.کاوشگر قرمز را به پایه و کاوشگر سیاه وصل کنید و یا به امیتر یا جمع کننده بپردازید.شما باید یک افت ولتاژ ، به طور معمول بین 0.6 ولت و 0.7 ولت مشاهده کنید.این افت ولتاژ نشان دهنده عملکرد مناسب اتصالات ترانزیستور است.پس از معکوس کردن پروب ها ، مولتی متر باید یک مقاومت نامتناهی را نشان دهد ، و با تأیید سلامت ترانزیستور.
فراتر از آزمایشات اساسی ، تجربیات عملی تمایزهای دیگری را در ارزیابی ترانزیستورها نشان می دهد.عوامل محیطی مانند دما می توانند بر خوانش تأثیر بگذارند.این جزئیات اغلب در طول کار میدانی در شرایط مختلف آب و هوایی آشکار می شوند.تنظیم پروتکل های تست برای این عوامل محیطی نتایج دقیق را تضمین می کند.آزمایش های مکرر ممکن است ناسازگاری های ظریف را نشان دهد که تحقیقات بیشتر را تضمین می کند ، و اهمیت مشاهده دقیق را برجسته می کند.
ترانزیستور SS8050 به دلیل مقرون به صرفه بودن و سادگی آن ارزش دارد و آن را به عنوان یک انتخاب مکرر در پروژه های الکترونیکی متعدد و توانایی آن در رسیدگی به بارهای متوسط بدون مشکلات قابل توجهی برای اتلاف گرما ، یک صفت غالباً در طول استفاده طولانی مدت در برنامه های مختلف مشاهده می کند.این قوام باعث می شود SS8050 برای کارهایی مانند تقویت سیگنال و عملیات تعویض در مدارهای کم مصرف قابل اعتماد باشد.
سوالات متداول [سؤالات متداول]
1. چه چیزی می تواند SS8050 را جایگزین کند؟
جایگزینی های احتمالی SS8050 شامل MPS650 ، MPS650G ، MPS651 ، MPS651G و MPS8050 است.هنگام انتخاب یک جایگزین ، پارامترهایی مانند ولتاژ ، رتبه فعلی و افزایش را برای اطمینان از سازگاری بررسی کنید.به عنوان مثال ، MPS8050 ویژگی های الکتریکی مشابهی دارد و می تواند به عنوان جایگزینی مستقیم در اکثر مدارها ، حفظ یکپارچگی و عملکرد مدار باشد.
2. استفاده از SS8050 چیست؟
SS8050 به طور گسترده در تقویت صوتی و مدارهای الکترونیکی مختلف (به عنوان مثال ، برنامه های سوئیچینگ) استفاده می شود.این دستگاه در سناریوهایی که نیاز به تقویت انرژی کم تا متوسط دارند ، می درخشد و انتقال سیگنال کارآمد را ارائه می دهد.به عنوان مثال ، در تجهیزات صوتی ، SS8050 تقویت صدا را با تقویت کارآمد سیگنال های صوتی ضعیف ، ارائه یک تجربه صوتی واضح تر تضمین می کند.
3. تفاوت بین S8050 و S8550؟
ترانزیستورهای S8050 و S8550 در درجه اول در رفتار هدایت آنها متفاوت هستند.یک مدار S8050 هنگام فشار دادن یک دکمه ، بار ، مانند یک نور را فعال می کند ، در حالی که یک مدار S8550 هنگام انتشار دکمه بار را فعال می کند ، باعث می شود بار سطح بالا را فعال کند و امکان هدایت سطح پایین را فراهم می کند.این تفاوت از ماهیت NPN و PNP متمایز آنها ناشی می شود و بر عملکرد آنها در مدارهای کنترل تأثیر می گذارد.هر نوع ترانزیستور بر اساس خصوصیات هدایت منحصر به فرد خود ، حالت های روشن و خاموش دستگاه های متصل را مدیریت می کند.
4. برنامه های اصلی SS8050؟
SS8050 به طور گسترده در کارهای تقویت ، تغییر در مدارهای الکترونیکی ، تقویت کننده های صوتی ، تقویت سیگنال و سوئیچینگ برق کم و متوسط استفاده می شود.نقش آن در تقویت کننده های صوتی بیشتر قابل توجه است ، زیرا با افزایش سیگنال های ضعیف صوتی ، کیفیت صدا را افزایش می دهد.استفاده ترانزیستور در مدارهای تقویت سیگنال بر تطبیق پذیری و اثربخشی آن در حفظ وضوح و یکپارچگی سیگنال در کاربردهای الکترونیکی متنوع تأکید دارد.