مشخصات فناوری S3B-E3/57T
مشخصات فنی Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S3B-E3/57T ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S3B-E3/57T
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.15 V @ 2.5 A | |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 100 V | |
| تکنولوژی | Standard | |
| کننده بسته بندی دستگاه | DO-214AB (SMC) | |
| سرعت | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسله | - | |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 2.5 µs |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی / مورد | DO-214AB, SMC | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 10 µA @ 100 V | |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 3A | |
| خازن @ VR، F | 60pF @ 4V, 1MHz | |
| شماره محصول پایه | S3B |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3B-E3/57T دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | S3B-E3/57T | S3B-13-F | S3B-ZR-3.4 | S3B30-18 |
| سازنده | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | JTS | ORIGIN |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V | - | - |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | - | - |
| خازن @ VR، F | 60pF @ 4V, 1MHz | 40pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.15 V @ 2.5 A | 1.15 V @ 3 A | - | - |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 2.5 µs | - | - | - |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 3A | 3A | - | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 100 V | 100 V | - | - |
| تکنولوژی | Standard | Standard | - | - |
| بسته بندی / مورد | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | - | - |
| سلسله | - | - | - | - |
| شماره محصول پایه | S3B | S3B | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | DO-214AB (SMC) | SMC | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| سرعت | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | - |
بارگیری داده های S3B-E3/57T PDF و مستندات Vishay General Semiconductor - Diodes Division را برای S3B-E3/57T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division بارگیری کنید.
S3B-ZR-3.4JTSS3B30-18ORIGINIGBT Module
S3B-XH-A(LF)(SN)JST Sales America Inc.CONN HEADER R/A 3POS 2.5MMS3B-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 3A SMC
S3B-XH-SM4-TBJSTS3B40-06ORIGINIGBT ModuleS3B0715A11-03XOSTECOS3B40-10IGBT ModuleS3B-ZR-SM4A-R-TFJST
S3B40-08TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleS3B-PH-SM4-TBJST
S3B-PH-K-SJST Sales America Inc.CONN HEADER R/A 3POS 2MM
S3B-EH(LF)(SN)JST Sales America Inc.CONN HEADER R/A 3POS 2.5MMS3B-ZR-SM4A-TFJSTS3B30-14ORIGINIGBT ModuleS3B30-12ORIGINIGBT ModuleS3B T/RPANJITS3B-PH-SM4-K-TBJST| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.