مشخصات فناوری 10ETS12S
مشخصات فنی Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 10ETS12S ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 10ETS12S
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.1 V @ 10 A | |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 1200 V | |
| تکنولوژی | Standard | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-263AB (D²PAK) | |
| سرعت | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسله | - | |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی کردن | Tube | |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -40°C ~ 150°C | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 50 µA @ 1200 V | |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 10A | |
| خازن @ VR، F | - | |
| شماره محصول پایه | 10ETS12 |
| صفت | شرح |
|---|---|
| وضعیت RoHs | سازگار با استاندارد RoHS غیر سازگار |
| سطح حساسیت رطوبت (MSL) | 1 (Unlimited) |
| وضعیت رسیدن | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10ETS12S دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | 10ETS12S | 10ETF12 | 10ETS08 | 10ETS08S |
| سازنده | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| تکنولوژی | Standard | Standard | Standard | Standard |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.1 V @ 10 A | 1.33 V @ 10 A | 1.1 V @ 10 A | 1.1 V @ 10 A |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| شماره محصول پایه | 10ETS12 | 10ETF12 | 10ETS08 | 10ETS08 |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 10A | 10A | 10A | 10A |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 1200 V | 1200 V | 800 V | 800 V |
| سلسله | - | - | - | - |
| خازن @ VR، F | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-263AB (D²PAK) | TO-220AC | TO-220AC | TO-263AB (D²PAK) |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 50 µA @ 1200 V | 100 µA @ 1200 V | 50 µA @ 800 V | 50 µA @ 800 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| سرعت | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C |
بارگیری داده های 10ETS12S PDF و مستندات Vishay General Semiconductor - Diodes Division را برای 10ETS12S - Vishay General Semiconductor - Diodes Division بارگیری کنید.
10ETF12SPBFIR10ETF06SPBFIR
10ETF12FPPBFElectro-Films (EFI) / Vishay10ETF12Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC10ETS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC10ETS10SIR10ETS08SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB10ETF06FPPBFIR10ETF12STRLPBFElectro-Films (EFI) / Vishay10ETS08FPPBFIR10ETF06STRLPBFIR10ETS12FPPBFIR10ETS12PBFElectro-Films (EFI) / Vishay10ETF10PBFIR10ETF12SPBF MOSIR10ETS08STRLPBFElectro-Films (EFI) / Vishay10ETS08PBFIR10ETF06S MOSIR| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ لطفاً را به سبد خرید اضافه کنید ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.