مشخصات فناوری 1N5815
مشخصات فنی Solid State Inc. - 1N5815 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Solid State Inc. - 1N5815
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Solid State Inc. | |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 900 mV @ 10 A | |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 125 V | |
| تکنولوژی | Standard | |
| کننده بسته بندی دستگاه | DO-4 | |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسله | - | |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 35 ns |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی / مورد | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| بسته بندی کردن | Box | |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| نصب و راه اندازی نوع | Stud Mount | |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 10 µA @ 125 V | |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 20A | |
| خازن @ VR، F | - |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Solid State Inc. 1N5815 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | 1N5815 | 1N5815R | 1N5815R | 1N5814R |
| سازنده | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 125 V | 125 V | 125 V | 100 V |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| سلسله | - | - | - | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 900 mV @ 10 A | 900 mV @ 10 A | 950 mV @ 20 A | 950 mV @ 20 A |
| نصب و راه اندازی نوع | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| بسته بندی / مورد | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| بسته بندی کردن | Box | Box | Bulk | Bulk |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| کننده بسته بندی دستگاه | DO-4 | DO-4 | DO-4 (DO-203AA) | DO-203AA (DO-4) |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 20A | 20A | 20A | 20A |
| تکنولوژی | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 10 µA @ 125 V | 10 µA @ 125 V | 10 µA @ 125 V | 10 µA @ 100 V |
| خازن @ VR، F | - | - | 300pF @ 10V, 1MHz | 300pF @ 10V, 1MHz |
بارگیری داده های 1N5815 PDF و مستندات Solid State Inc. را برای 1N5815 - Solid State Inc. بارگیری کنید.
1N5815RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 125V 20A DO41N5815RMicrochip TechnologyRECTIFIER DIODE1N5814RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA1N5812RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA1N5814Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA1N5816RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 20A DO41N5813Solid State Inc.DIODE GEN PURP 75V 20A DO41N5814RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 20A DO41N5814Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 20A DO4
1N5817Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO151N5812Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA1N5813Microchip TechnologyRECTIFIER DIODE1N5815Microchip TechnologyRECTIFIER DIODE1N5816Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 20A DO4
1N5817Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL1N5816RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA1N5816Microchip TechnologyRECTIFIER DIODE1N5813RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 20A DO203AA| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.