مشخصات فناوری STW90NF20
مشخصات فنی STMicroelectronics - STW90NF20 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه STMicroelectronics - STW90NF20
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | TO-247-3 | |
سلسله | STripFET™ | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 23mOhm @ 45A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 300W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-247-3 | |
بسته بندی کردن | Tube |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 5736 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 164 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 83A (Tc) | |
شماره محصول پایه | STW90N |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با STMicroelectronics STW90NF20 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | STW90NF20 | STW9N80K5 | STW8NK80Z | STW9N150 |
سازنده | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
سلسله | STripFET™ | MDmesh™ K5 | SuperMESH™ | PowerMESH™ |
بسته بندی / مورد | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
کننده بسته بندی دستگاه | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
شماره محصول پایه | STW90N | STW9 | STW8NK80 | STW9 |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 300W (Tc) | 110W (Tc) | 140W (Tc) | 320W (Tc) |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 5736 pF @ 25 V | 340 pF @ 100 V | 1320 pF @ 25 V | 3255 pF @ 25 V |
بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 83A (Tc) | 7A (Tc) | 6.2A (Tc) | 8A (Tc) |
نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | 800 V | 800 V | 1500 V |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 164 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V | 89.3 nC @ 10 V |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA | 5V @ 250µA |
دمای عملیاتی | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 23mOhm @ 45A, 10V | 900mOhm @ 3.5A, 10V | 1.5Ohm @ 3.1A, 10V | 2.5Ohm @ 4A, 10V |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±30V | ±30V | ±30V |
FET ویژگی | - | - | - | - |
بارگیری داده های STW90NF20 PDF و مستندات STMicroelectronics را برای STW90NF20 - STMicroelectronics بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.