مشخصات فناوری STW48NM60N
مشخصات فنی STMicroelectronics - STW48NM60N ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه STMicroelectronics - STW48NM60N
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | STMicroelectronics | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±25V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247-3 | |
| سلسله | MDmesh™ II | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 70mOhm @ 20A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 330W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4285 pF @ 50 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 124 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 44A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | STW48 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با STMicroelectronics STW48NM60N دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | STW48NM60N | STW48N60M2-4 | STW48N60M6 | STW48N60M2 |
| سازنده | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 44A (Tc) | 42A (Tc) | 39A (Tc) | 42A (Tc) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 124 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V | 57 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 330W (Tc) | 300W (Tc) | 250W (Tc) | 300W (Tc) |
| سلسله | MDmesh™ II | MDmesh™ M2 | MDmesh™ M6 | MDmesh™ M2 |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4285 pF @ 50 V | 3060 pF @ 100 V | 2578 pF @ 100 V | 3060 pF @ 100 V |
| شماره محصول پایه | STW48 | STW48 | STW48 | STW48 |
| VGS (حداکثر) | ±25V | ±25V | ±25V | ±25V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.75V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247-3 | TO-247-4 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 70mOhm @ 20A, 10V | 70mOhm @ 21A, 10V | 69mOhm @ 19.5A, 10V | 70mOhm @ 21A, 10V |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | TO-247-4 | TO-247-3 | TO-247-3 |
بارگیری داده های STW48NM60N PDF و مستندات STMicroelectronics را برای STW48NM60N - STMicroelectronics بارگیری کنید.
STW48N60M6-4STW4811MBRATSTMicroelectronicsSTW48N60M2-4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 42A TO247-4LSTW48N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 39A TO247STW5093CYLTSTMicroelectronicsSTW5093CYLSTMicroelectronicsSTW5094ADT/LFSTMicroelectronicsSTW4811MBHDT/LFSTMicroelectronicsSTW5093TSSTMicroelectronicsSTW48N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 42A TO247STW4811MBRASTMicroelectronicsSTW4N150 MOSSTMicroelectronicsSTW5093CYSTMicroelectronicsSTW4N150STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3STW48N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 40A TO247STW48NM60N MOSSTMicroelectronicsSTW5094ADTSTMicroelectronicsSTW48N60M2 MOSSTMicroelectronics| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.