مشخصات فناوری STP17NF25
مشخصات فنی STMicroelectronics - STP17NF25 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه STMicroelectronics - STP17NF25
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | TO-220 | |
سلسله | STripFET™ II | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 165mOhm @ 8.5A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 90W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
بسته بندی کردن | Tube |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1000 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 29.5 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 250 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 17A (Tc) | |
شماره محصول پایه | STP17 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با STMicroelectronics STP17NF25 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | STP17NF25 | STP17NK40Z | STP16NK65Z | STP180N4F6 |
سازنده | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 165mOhm @ 8.5A, 10V | 250mOhm @ 7.5A, 10V | 500mOhm @ 6.5A, 10V | - |
سلسله | STripFET™ II | SuperMESH™ | SuperMESH™ | STripFET™ F6 |
بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
شماره محصول پایه | STP17 | STP17N | STP16N | STP180 |
نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
کننده بسته بندی دستگاه | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±30V | ±30V | ±20V |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 250 V | 400 V | 650 V | 40 V |
بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 29.5 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 89 nC @ 10 V | - |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4.5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA | - |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 90W (Tc) | 150W (Tc) | 190W (Tc) | 190W (Tc) |
FET ویژگی | - | - | - | - |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1000 pF @ 25 V | 1900 pF @ 25 V | 2750 pF @ 25 V | - |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 17A (Tc) | 15A (Tc) | 13A (Tc) | 120A (Tc) |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
بارگیری داده های STP17NF25 PDF و مستندات STMicroelectronics را برای STP17NF25 - STMicroelectronics بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.