مشخصات فناوری STP10N62K3
مشخصات فنی STMicroelectronics - STP10N62K3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه STMicroelectronics - STP10N62K3
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | STMicroelectronics | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 100µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220 | |
| سلسله | SuperMESH3™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 750mOhm @ 4A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 125W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1250 pF @ 50 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 42 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 620 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 8.4A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | STP10 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با STMicroelectronics STP10N62K3 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | STP10N62K3 | STP10N60M2 | STP10N95K5 | STP105N3LL |
| سازنده | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 8.4A (Tc) | 7.5A (Tc) | 8A (Tc) | 80A (Tc) |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 175°C (TJ) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 100µA | 4V @ 250µA | 5V @ 100µA | 2.5V @ 250µA |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 125W (Tc) | 85W (Tc) | 130W (Tc) | 140W (Tc) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 42 nC @ 10 V | 13.5 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V | 42 nC @ 4.5 V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 750mOhm @ 4A, 10V | 600mOhm @ 3A, 10V | 800mOhm @ 4A, 10V | 3.5mOhm @ 40A, 10V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 620 V | 600 V | 950 V | 30 V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1250 pF @ 50 V | 400 pF @ 100 V | 630 pF @ 100 V | 3100 pF @ 25 V |
| سلسله | SuperMESH3™ | MDmesh™ II Plus | SuperMESH5™ | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±25V | ±30V | ±20V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| شماره محصول پایه | STP10 | STP10 | STP10 | STP105 |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
بارگیری داده های STP10N62K3 PDF و مستندات STMicroelectronics را برای STP10N62K3 - STMicroelectronics بارگیری کنید.
STP10NA40FISTMicroelectronicsSTP10N10STMicroelectronicsSTP10N80K5STMicroelectronicsSTP10N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 7.5A TO220STP10NB20FPSTMicroelectronicsSTP10N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 8A TO220STP10N60M2 MOSSTMicroelectronicsSTP105N3LLSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 80A TO220
STP1090APGA-60SUNSTP10N60M2 10N60M2STMicroelectronicsSTP10NB50STMicroelectronicsSTP10LN80K5STMicroelectronicsSTP10N60FISTMicroelectronicsSTP10N65K3 10N65K3STMicroelectronicsSTP10810STMicroelectronicsSTP10NB50FPSTMicroelectronicsSTP10NA40STMicroelectronicsSTP10N80STMicroelectronics| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.