مشخصات فناوری STB15N65M5
مشخصات فنی STMicroelectronics - STB15N65M5 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه STMicroelectronics - STB15N65M5
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±25V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | D²PAK (TO-263) | |
سلسله | MDmesh™ V | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 340mOhm @ 5.5A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 85W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 810 pF @ 100 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 22 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 650 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 11A (Tc) | |
شماره محصول پایه | STB15N |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با STMicroelectronics STB15N65M5 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | STB15N65M5 | STB155N3LH6 | STB14NM65N | STB15810 |
سازنده | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 810 pF @ 100 V | 3800 pF @ 25 V | 1300 pF @ 50 V | 8115 pF @ 50 V |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 11A (Tc) | 80A (Tc) | 12A (Tc) | 110A (Tc) |
سلسله | MDmesh™ V | DeepGATE™, STripFET™ VI | MDmesh™ II | - |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 340mOhm @ 5.5A, 10V | 3mOhm @ 40A, 10V | 380mOhm @ 6A, 10V | 3.9mOhm @ 55A, 10V |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
شماره محصول پایه | STB15N | STB155 | STB14N | - |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
FET ویژگی | - | - | - | - |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 650 V | 30 V | 650 V | 100 V |
VGS (حداکثر) | ±25V | ±20V | ±25V | ±20V |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 85W (Tc) | 110W (Tc) | 125W (Tc) | 250W (Tc) |
کننده بسته بندی دستگاه | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D2PAK | D2PAK |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 5V, 10V | 10V | 10V |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 22 nC @ 10 V | 80 nC @ 5 V | 45 nC @ 10 V | 117 nC @ 10 V |
بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
بارگیری داده های STB15N65M5 PDF و مستندات STMicroelectronics را برای STB15N65M5 - STMicroelectronics بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.