مشخصات فناوری RF1S540
مشخصات فنی Harris Corporation - RF1S540 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Harris Corporation - RF1S540
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | I2PAK (TO-262) | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 77mOhm @ 17A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 150W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1450 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 59 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Harris Corporation RF1S540 دارند.
| ویژگی محصول | |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | RF1S540 | RF1S70N03 | RF1S4N100SM9A | RF1S50N06SM9A |
| سازنده | Harris Corporation | Harris Corporation | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| کننده بسته بندی دستگاه | I2PAK (TO-262) | TO-262AA | TO-263AB | TO-263AB |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | - | - | 10V |
| سلسله | - | - | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1450 pF @ 25 V | 3300 pF @ 25 V | - | 2020 pF @ 25 V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 59 nC @ 10 V | 260 nC @ 20 V | - | 150 nC @ 20 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 28A (Tc) | 70A (Tc) | 4.3A (Tc) | 50A (Tc) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 150W (Tc) | 150W (Tc) | 150W (Tc) | 131W (Tc) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 77mOhm @ 17A, 10V | 10mOhm @ 70A, 10V | 3.5Ohm @ 2.5A, 10V | 22mOhm @ 50A, 10V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | 30 V | 1000 V | 60 V |
| بسته بندی / مورد | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی کردن | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
RF1S530SMRF1S70N03Harris CorporationMOSFET N-CH 30V 70A TO262AARF1S50N06SMVBSEMIRF1S4N100SM9AHarris CorporationMOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263ABRF1S40N10LESM9AR4363HARRIS
RF1S42N03LSM9APanasonicRF1S50N06SM9AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETRF1S70N03SM9A MOSHARRISRF1S640SM9A MOSFairchild (onsemi)RF1S630SM9AHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETRF1S540SMHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETRF1S70N06SM9AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETRF1S70N03 MOSFairchild (onsemi)RF1S45N06LEHarris Corporation45A, 60V, 0.028OHM, N-CHANNEL,RF1S42N03LSMHARRISRF1S45N03LSMVBSEMIRF1S640SM9AFairchild (onsemi)RF1S70N06SM9A MOSFairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.