مشخصات فناوری TPS1101DR
مشخصات فنی Texas Instruments - TPS1101DR ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Texas Instruments - TPS1101DR
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Texas Instruments | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | +2V, -15V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 90mOhm @ 2.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 791mW (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 11.25 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 2.7V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 15 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) | |
| شماره محصول پایه | TPS1101 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Texas Instruments TPS1101DR دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | TPS1101DR | TPS1101DRG4 | TPS1100DR | TPS1100PWR |
| سازنده | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 2.7V, 10V | 2.7V, 10V | 2.7V, 10V | 2.7V, 10V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| سلسله | - | - | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| شماره محصول پایه | TPS1101 | - | TPS1100 | TPS1100 |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| VGS (حداکثر) | +2V, -15V | +2V, -15V | +2V, -15V | +2V, -15V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 11.25 nC @ 10 V | 11.25nC @ 10V | 5.45 nC @ 10 V | 5.45 nC @ 10 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 791mW (Ta) | 791mW (Ta) | 791mW (Ta) | 504mW (Ta) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 90mOhm @ 2.5A, 10V | 90 mOhm @ 2.5A, 10V | 180mOhm @ 1.5A, 10V | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 15 V | 15V | 15 V | 15 V |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) | 2.3A (Ta) | 1.6A (Ta) | 1.27A (Ta) |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-TSSOP |
TPS1101DRG4Texas InstrumentsMOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOICTPS1110DRTexas Instruments
TPS1002MOTOROLATPS1120DRG4Texas InstrumentsTPS1100DRTexas InstrumentsMOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOICTPS1035CABTRIPATHTPS1100DRG4VBSEMITPS106041DDARTexas InstrumentsTPS1100DR MOSTexas InstrumentsTPS16530RGERTexas Instruments
TPS16530PWPRTexas InstrumentsIC ELECTRONIC FUSE 2% 20HTSSOPTPS1100YDTexas Instruments
TPS1191RB-2-TRStanley Electric CoSENSOR PHOTO 900NM TOP VIEW 1206TPS1120DRTexas InstrumentsMOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOICTPS1100PWRTexas InstrumentsMOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP
TPS16630PWPRTexas InstrumentsIC ELECTRONIC FUSE 2% 20HTSSOPTPS1120YDTexas InstrumentsTPS1101D MOSTexas Instruments| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.