مشخصات فناوری RDD023N50TL
مشخصات فنی Rohm Semiconductor - RDD023N50TL ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Rohm Semiconductor - RDD023N50TL
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 1mA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | CPT3 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 5.4Ohm @ 1A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 20W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 151 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 11 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | RDD023 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Rohm Semiconductor RDD023N50TL دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | RDD023N50TL | RDD022N50TL | STP26N65DM2 | RDD020N50TL |
| سازنده | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | STMicroelectronics | Rohm Semiconductor |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 5.4Ohm @ 1A, 10V | 5.4Ohm @ 1A, 10V | 190mOhm @ 10A, 10V | - |
| سلسله | - | - | MDmesh™ DM2 | * |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 1mA | 4.7V @ 1mA | 5V @ 250µA | - |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-3 | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±30V | ±25V | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 151 pF @ 25 V | 168 pF @ 25 V | 1480 pF @ 100 V | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 11 nC @ 10 V | 6.7 nC @ 10 V | 35.5 nC @ 10 V | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2A (Tc) | 2A (Tc) | 20A (Tc) | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4V, 10V | 10V | 10V | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | CPT3 | CPT3 | TO-220 | - |
| شماره محصول پایه | RDD023 | RDD022 | STP26 | RDD020 |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | 500 V | 650 V | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 20W (Tc) | 20W (Tc) | 170W (Tc) | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
RDD022N60 TLLAPIS TechnologyRDD022N50TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 500V 2A CPT3STP26N65DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 20A TO220RDD020N50TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 500V 2A CPT3RDD050N20LAPIS Technology
MMFTN170Diotec SemiconductorMOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
NTMS5P02R2GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOICRDD050N20 TLLAPIS Technology
STF12N50M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 10A TO220FPRDD020N60 TLLAPIS Technology
RDD020N60VBsemiRDD022N60TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 2A CPT3RDD020N60TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 2A CPT3RDD020N50VBsemi
RDDMF1210080V3TWalsin Technology
NTGS3443T2GonsemiMOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
DMP2225L-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3RDD050N20TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 200V 5A CPT3| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.